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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 37A（Tc） 29W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN011-30YLC,115
  仓库库存编号：1727-6495-1-ND
  别名：1727-6495-1
  568-8526-1
  568-8526-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 29W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.3A（Ta），18A（Tc） 29W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ440N10NS3 G
  仓库库存编号：BSZ440N10NS3 GINCT-ND
  别名：BSZ440N10NS3 GINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 29W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 14A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 29W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRFIZ24NPBF
  仓库库存编号：IRFIZ24NPBF-ND
  别名：*IRFIZ24NPBF
  SP001556656
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 29W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 8.1A（Tc） 29W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R520E6
  仓库库存编号：IPA60R520E6-ND
  别名：IPA60R520E6XKSA1
  SP000797614
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 29W（Tc）,
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• Sanken
  MOSFET N-CH 60V 24A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 29W（Tc） TO-220F
  
  型号：FKI06269
  仓库库存编号：FKI06269-ND
  别名：FKI06269 DK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 29W（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 7A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 29W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF7T60PL
  仓库库存编号：785-1653-5-ND
  别名：785-1653-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 29W（Tc）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 40V 15A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 15A（Ta） 29W（Tc） DPAK
  
  型号：TJ15P04M3,RQ(S
  仓库库存编号：TJ15P04M3RQ(S-ND
  别名：TJ15P04M3RQ(S
  TJ15P04M3RQS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 29W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V 11A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 29W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：IPA80R450P7XKSA1
  仓库库存编号：IPA80R450P7XKSA1-ND
  别名：SP001422558
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 29W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 29W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPAN80R450P7XKSA1
  仓库库存编号：IPAN80R450P7XKSA1-ND
  别名：SP001632932
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 29W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 31A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 31A（Tc） 29W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA60R099P7XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R099P7XKSA1-ND
  别名：SP001658390
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 29W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 37A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 37A（Tc） 29W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA60R080P7XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R080P7XKSA1-ND
  别名：SP001658398
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 29W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 48A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 29W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA60R060P7XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R060P7XKSA1-ND
  别名：SP001658404
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 29W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO-252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 2.6A（Tc） 29W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R3K4CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD60R3K4CEAUMA1-ND
  别名：SP001422856
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 29W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 18A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 5.3A（Ta），18A（Tc） 29W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC440N10NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC440N10NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC440N10NS3 GCT
  BSC440N10NS3 GCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 29W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 7A（Tc） 29W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA65R225C7XKSA1
  仓库库存编号：IPA65R225C7XKSA1-ND
  别名：SP001080144
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 29W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 8.1A（Tc） 29W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R520C6
  仓库库存编号：IPA60R520C6-ND
  别名：IPA60R520C6XKSA1
  SP000645072
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 29W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 9A（Tc） 29W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：IPA60R180C7XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R180C7XKSA1-ND
  别名：SP001296216
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 29W（Tc）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 400V 8A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 8A（Ta） 29W（Tc） TO-220FL
  
  型号：RJK4006DPP-M0#T2
  仓库库存编号：RJK4006DPP-M0#T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 29W（Tc）,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 5A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 5A（Ta） 29W（Tc） TO-220FP
  
  型号：RJK6006DPP-E0#T2
  仓库库存编号：RJK6006DPP-E0#T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 29W（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 7A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 7A（Tc） 29W（Tc） TO-220F
  
  型号：AOTF7T60L
  仓库库存编号：AOTF7T60L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 29W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 14A（Tc） 29W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRFIZ24E
  仓库库存编号：IRFIZ24E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 29W（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 55V 9.5A TO-220FP
  详细描述：通孔 P 沟道 55V 9.5A（Tc） 29W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRFI9Z24N
  仓库库存编号：IRFI9Z24N-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 29W（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 14A（Tc） 29W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRFIZ24EPBF
  仓库库存编号：IRFIZ24EPBF-ND
  别名：*IRFIZ24EPBF
  SP001575814
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 29W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 25A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 25A（Tc） 29W（Tc） PG-TO252-3-11
  
  型号：IPD25N06S4L30ATMA1
  仓库库存编号：IPD25N06S4L30ATMA1CT-ND
  别名：IPD25N06S4L-30CT
  IPD25N06S4L-30CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 29W（Tc）,
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