产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 43W（Tc）,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 43W（Tc） D-Pak
型号：
FDD7N20TM
仓库库存编号：
FDD7N20TMCT-ND
别名：FDD7N20TMCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 43W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
型号：
IRLZ14PBF
仓库库存编号：
IRLZ14PBF-ND
别名：*IRLZ14PBF
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 43W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A TO-220AB
详细描述：通孔 P 沟道 4A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF9510PBF
仓库库存编号：
IRF9510PBF-ND
别名：*IRF9510PBF
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 43W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFZ14PBF
仓库库存编号：
IRFZ14PBF-ND
别名：*IRFZ14PBF
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 43W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-220AB
详细描述：通孔 P 沟道 6.7A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF9Z14PBF
仓库库存编号：
IRF9Z14PBF-ND
别名：*IRF9Z14PBF
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 43W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 5.6A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF510PBF
仓库库存编号：
IRF510PBF-ND
别名：*IRF510PBF
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 43W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 5.6A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL510PBF
仓库库存编号：
IRL510PBF-ND
别名：*IRL510PBF
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 43W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5A I-PAK
详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 43W（Tc） IPAK（TO-251）
型号：
IRFU220NPBF
仓库库存编号：
IRFU220NPBF-ND
别名：*IRFU220NPBF
SP001567710
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 43W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
详细描述：通孔 P 沟道 6.7A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF9Z10PBF
仓库库存编号：
IRF9Z10PBF-ND
别名：*IRF9Z10PBF
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 43W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 20.5A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 8.5A（Tc） 43W（Tc） PG-TO251
型号：
IPS70R600P7SAKMA1
仓库库存编号：
IPS70R600P7SAKMA1-ND
别名：SP001499714
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 43W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 43W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR220NTRPBF
仓库库存编号：
IRFR220NTRPBFCT-ND
别名：*IRFR220NTRPBF
IRFR220NPBFCT
IRFR220NPBFCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 43W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 20.5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.5A（Tc） 43W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD70R600P7SAUMA1
仓库库存编号：
IPD70R600P7SAUMA1CT-ND
别名：IPD70R600P7SAUMA1CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 43W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 19A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 19A（Tc） 43W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF19N20C
仓库库存编号：
FQPF19N20C-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 43W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 67A TO-220-3
详细描述：通孔 N 沟道 67A（Tc） 43W（Tc） TO-220F-3
型号：
FDPF045N10A
仓库库存编号：
FDPF045N10A-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 43W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFZ10PBF
仓库库存编号：
IRFZ10PBF-ND
别名：*IRFZ10PBF
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 43W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 15.6A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 15.6A（Tc） 43W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF16N25C
仓库库存编号：
FQPF16N25C-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 43W（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
PSMN6R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
详细描述：表面贴装 N 沟道 61A（Tc） 43W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN6R0-25YLDX
仓库库存编号：
1727-2500-1-ND
别名：1727-2500-1
568-12932-1
568-12932-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 43W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 60A SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 43W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIRC10DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIRC10DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIRC10DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 43W（Tc）,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 500V 12A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 43W（Tc） TO-220-3F
型号：
AOTF12T50P
仓库库存编号：
785-1652-5-ND
别名：785-1652-5
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 43W（Tc）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 43W（Tc） TO-220-3F
型号：
AOTF10T60P
仓库库存编号：
AOTF10T60P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 43W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 1.6A（Tc） 43W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
IXTY1R6N50P
仓库库存编号：
IXTY1R6N50P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 43W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
详细描述：通孔 P 沟道 6.7A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF9Z10
仓库库存编号：
IRF9Z10-ND
别名：*IRF9Z10
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 43W（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 5.6A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF510
仓库库存编号：
IRF510-ND
别名：*IRF510
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 43W（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 4A TO-220AB
详细描述：通孔 P 沟道 100V 4A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
型号：
IRF9510
仓库库存编号：
IRF9510-ND
别名：*IRF9510
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 43W（Tc）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 100V 5.6A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
型号：
IRL510
仓库库存编号：
IRL510-ND
别名：*IRL510
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 43W（Tc）,
含铅
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