产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 43W(Tc),
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分立半导体产品
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 10A(Tc) 43W(Tc) TO-220AB
型号:
IRLZ14
仓库库存编号:
IRLZ14-ND
别名:*IRLZ14
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 43W(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 10A(Tc) 43W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ14
仓库库存编号:
IRFZ14-ND
别名:*IRFZ14
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 43W(Tc),
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 60V 6.7A(Tc) 43W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9Z14
仓库库存编号:
IRF9Z14-ND
别名:*IRF9Z14
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 43W(Tc),
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 10A(Tc) 43W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ10
仓库库存编号:
IRFZ10-ND
别名:*IRFZ10
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 43W(Tc),
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 2.1A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 900V 2.1A(Tc) 43W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF3N90
仓库库存编号:
FQPF3N90-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 43W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 2.2A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 800V 2.2A(Tc) 43W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF4N80
仓库库存编号:
FQPF4N80-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 43W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 1.6A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 1.6A(Tc) 43W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP1R6N50P
仓库库存编号:
IXTP1R6N50P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 43W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 14A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 250V 14A(Tc) 43W(Tc) TO-220F-3
型号:
IRFS644BYDTU_AS001
仓库库存编号:
IRFS644BYDTU_AS001-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 43W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 2.1A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 900V 2.1A(Tc) 43W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF3N90_NL
仓库库存编号:
FQPF3N90_NL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 43W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 14A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 250V 14A(Tc) 43W(Tc) TO-220F
型号:
IRFS644B_FP001
仓库库存编号:
IRFS644B_FP001-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 43W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 19A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 200V 19A(Tc) 43W(Tc) TO-220F-3(Y 型)
型号:
FQPF19N20CYDTU
仓库库存编号:
FQPF19N20CYDTU-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 43W(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10A(Tc) 43W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF10T60
仓库库存编号:
785-1637-5-ND
别名:785-1637-5
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 43W(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 10A(Tc) 43W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF10T60L
仓库库存编号:
AOTF10T60L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 43W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 5A(Tc) 43W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR220NTR
仓库库存编号:
IRFR220NTR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 43W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 5A(Tc) 43W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR220NTRL
仓库库存编号:
IRFR220NTRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 43W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 200V 5A(Tc) 43W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU220N
仓库库存编号:
IRFU220N-ND
别名:*IRFU220N
SP001568188
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 43W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 5A(Tc) 43W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR220NTRR
仓库库存编号:
IRFR220NTRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 43W(Tc),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 39A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 60V 39A(Tc) 43W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFIZ48VPBF
仓库库存编号:
IRFIZ48VPBF-ND
别名:*IRFIZ48VPBF
SP001556666
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 43W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 5A(Ta) 43W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR220NCPBF
仓库库存编号:
IRFR220NCPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 43W(Tc),
无铅
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