产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 114W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 90A(Tc) 114W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC070N10NS3GATMA1
仓库库存编号:
BSC070N10NS3GATMA1CT-ND
别名:BSC070N10NS3 GCT
BSC070N10NS3 GCT-ND
BSC070N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 114W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.6A(Ta),71A(Tc) 114W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC123N10LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC123N10LSGATMA1CT-ND
别名:BSC123N10LS GCT
BSC123N10LS GCT-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 114W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 13A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) 114W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW50R250CP
仓库库存编号:
IPW50R250CP-ND
别名:IPW50R250CPFKSA1
SP000301162
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 114W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta),71A(Tc) 114W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC118N10NSGATMA1
仓库库存编号:
BSC118N10NSGATMA1CT-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 114W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 13A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) 114W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI50R250CPXKSA1
仓库库存编号:
IPI50R250CPXKSA1-ND
别名:IPI50R250CP
IPI50R250CP-ND
SP000523750
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 114W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9.4A(Ta),63A(Tc) 114W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC159N10LSF G
仓库库存编号:
BSC159N10LSFGATMA1CT-ND
别名:BSC159N10LSF GCT
BSC159N10LSF GCT-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 114W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 550V 13A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 550V 13A(Tc) 114W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB50R250CPATMA1
仓库库存编号:
IPB50R250CPATMA1TR-ND
别名:IPB50R250CP
IPB50R250CP-ND
SP000236093
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 114W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 9.4A(Ta),63A(Tc) 114W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC152N10NSFGATMA1
仓库库存编号:
BSC152N10NSFGATMA1TR-ND
别名:BSC152N10NSF G
BSC152N10NSF G-ND
SP000379601
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 114W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 13A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 500V 13A(Tc) 114W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP50R250CPHKSA1
仓库库存编号:
IPP50R250CPHKSA1-ND
别名:IPP50R250CP
IPP50R250CP-ND
SP000236071
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:功率耗散(最大值) 114W(Tc),
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