产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 300mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
VN2106N3-G
仓库库存编号：
VN2106N3-G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 60V 0.2A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 200mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
2N7000-G
仓库库存编号：
2N7000-G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 310mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
VN10KN3-G
仓库库存编号：
VN10KN3-G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 250mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
VP2106N3-G
仓库库存编号：
VP2106N3-G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 230mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
2N7008-G
仓库库存编号：
2N7008-G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 40V 350MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 350mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
VN0104N3-G
仓库库存编号：
VN0104N3-G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 400V 0.12A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 120mA（Tj） 1W（Tc） TO-92（TO-226）
型号：
DN2540N3-G
仓库库存编号：
DN2540N3-G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 40V 0.25A TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 250mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
VP0104N3-G
仓库库存编号：
VP0104N3-G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 350mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
TN0106N3-G
仓库库存编号：
TN0106N3-G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 320mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
TP0606N3-G
仓库库存编号：
TP0606N3-G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 190mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
VN2410L-G
仓库库存编号：
VN2410L-G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 40V 0.45A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 450mA（Ta） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
TN0104N3-G
仓库库存编号：
TN0104N3-G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 500mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
TN0610N3-G
仓库库存编号：
TN0610N3-G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 30V 640MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 640mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
VN0300L-G
仓库库存编号：
VN0300L-G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 20V 530MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 530mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
TN0702N3-G
仓库库存编号：
TN0702N3-G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 190mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
VN2406L-G
仓库库存编号：
VN2406L-G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 80V 0.28A TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 280mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
VP0808L-G
仓库库存编号：
VP0808L-G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 120mA（Tj） 1W（Tc） TO-92（TO-226）
型号：
DN2535N3-G
仓库库存编号：
DN2535N3-G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 60V 330MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 330mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
VN0606L-G
仓库库存编号：
VN0606L-G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-DIP
详细描述：通孔 P 沟道 1.1A（Tc） 1W（Tc） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD9010PBF
仓库库存编号：
IRFD9010PBF-ND
别名：*IRFD9010PBF
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 200V 0.25A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 250mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
TN0620N3-G
仓库库存编号：
TN0620N3-G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 50V 2.4A 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 2.4A（Tc） 1W（Tc） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
型号：
IRFD020PBF
仓库库存编号：
IRFD020PBF-ND
别名：*IRFD020PBF
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 120V 0.23A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 230mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
VN1206L-G
仓库库存编号：
VN1206L-G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 240V 540MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 540mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
VN2224N3-G
仓库库存编号：
VN2224N3-G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
无铅
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Rohm Semiconductor
NCH 30V 3A MIDDLE POWER MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 3A（Ta） 1W（Tc） TSMT3
型号：
RQ5E030AJTCL
仓库库存编号：
RQ5E030AJTCLCT-ND
别名：RQ5E030AJTCLCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Tc）,
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