产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Tc),
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Rohm Semiconductor
PCH -20V -5.5A MIDDLE POWER MOSF
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 5.5A(Ta) 1W(Tc) TUMT6
型号:
RF6C055BCTCR
仓库库存编号:
RF6C055BCTCRCT-ND
别名:RF6C055BCTCRCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Tc),
无铅
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Rohm Semiconductor
PCH -20V -3.5A MIDDLE POWER MOSF
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.5A(Ta) 1W(Tc) TSMT3
型号:
RQ5C035BCTCL
仓库库存编号:
RQ5C035BCTCLCT-ND
别名:RQ5C035BCTCLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Tc),
无铅
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Rohm Semiconductor
NCH 30V 4.5A MIDDLE POWER MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Ta) 1W(Tc) TUMT6
型号:
RF6E045AJTCR
仓库库存编号:
RF6E045AJTCRCT-ND
别名:RF6E045AJTCRCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Tc),
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 90V 0.35A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 350mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
VN0109N3-G
仓库库存编号:
VN0109N3-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Tc),
无铅
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Rohm Semiconductor
NCH 30V 7A MIDDLE POWER MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Tc) 1W(Tc) TSMT3
型号:
RQ5E070BNTCL
仓库库存编号:
RQ5E070BNTCLCT-ND
别名:RQ5E070BNTCLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Tc),
无铅
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Rohm Semiconductor
PCH -20V -6A MIDDLE POWER MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Ta) 1W(Tc) TSMT3
型号:
RQ5C060BCTCL
仓库库存编号:
RQ5C060BCTCLCT-ND
别名:RQ5C060BCTCLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 30V 15A 8SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 1W(Tc) 8-SOP
型号:
TP89R103NL,LQ
仓库库存编号:
TP89R103NLLQCT-ND
别名:TP89R103NLLQCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 30V 19A 8SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Ta) 1W(Tc) 8-SOP
型号:
TP86R203NL,LQ
仓库库存编号:
TP86R203NLLQCT-ND
别名:TP86R203NLLQCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Tc),
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 350mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
VN0106N3-G
仓库库存编号:
VN0106N3-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Tc),
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 500mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
TN0606N3-G
仓库库存编号:
TN0606N3-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Tc),
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3
详细描述:通孔 P 沟道 250mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
VP0106N3-G
仓库库存编号:
VP0106N3-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Tc),
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 1.2A(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
VN3205N3-G
仓库库存编号:
VN3205N3-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Tc),
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 16.5V 0.5A TO92-3
详细描述:通孔 P 沟道 500mA(Tj) 1W(Tc) TO-92
型号:
LP0701N3-G
仓库库存编号:
LP0701N3-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Tc),
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 90V 0.25A TO92-3
详细描述:通孔 P 沟道 250mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
VP0109N3-G
仓库库存编号:
VP0109N3-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Tc),
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 350mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
TN0110N3-G
仓库库存编号:
TN0110N3-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Tc),
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 80V 300MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 300mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
VN0808L-G
仓库库存编号:
VN0808L-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Tc),
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 500V 50MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 50mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
VN0550N3-G
仓库库存编号:
VN0550N3-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Tc),
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 400V 0.16A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 160mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
VN4012L-G
仓库库存编号:
VN4012L-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Tc),
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 500V 0.054A TO92-3
详细描述:通孔 P 沟道 54mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
VP0550N3-G
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VP0550N3-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Tc),
无铅
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Rohm Semiconductor
PCH -30V -2.5A MIDDLE POWER MOSF
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.5A(Ta) 1W(Tc) TSMT3
型号:
RQ5E025ATTCL
仓库库存编号:
RQ5E025ATTCLCT-ND
别名:RQ5E025ATTCLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Tc),
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 310mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
VN10KN3-G-P002
仓库库存编号:
VN10KN3-G-P002-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Tc),
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 310mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
VN10KN3-G-P003
仓库库存编号:
VN10KN3-G-P003-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Tc),
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 310mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
VN10KN3-G-P013
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VN10KN3-G-P013-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Tc),
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MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 310mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
VN10KN3-G-P014
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VN10KN3-G-P014-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Tc),
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MOSFET N-CH 40V 350MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 350mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
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VN0104N3-G-P013
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