产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Tc),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(79)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(79)
筛选品牌
Microchip Technology (62)
Rohm Semiconductor (7)
STMicroelectronics (1)
Toshiba Semiconductor and Storage (2)
Vishay Siliconix (7)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Microchip Technology
MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 350mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
VN0106N3-G-P003
仓库库存编号:
VN0106N3-G-P003-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Tc),
无铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 120mA(Tj) 1W(Tc) TO-92(TO-226)
型号:
DN2535N3-G-P003
仓库库存编号:
DN2535N3-G-P003-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Tc),
无铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 120mA(Tj) 1W(Tc) TO-92(TO-226)
型号:
DN2535N3-G-P013
仓库库存编号:
DN2535N3-G-P013-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Tc),
无铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET N-CH 400V 0.12A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 120mA(Tj) 1W(Tc) TO-92(TO-226)
型号:
DN2540N3-G-P003
仓库库存编号:
DN2540N3-G-P003-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Tc),
无铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 350mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
TN0106N3-G-P003
仓库库存编号:
TN0106N3-G-P003-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Tc),
无铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 350mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
TN0106N3-G-P013
仓库库存编号:
TN0106N3-G-P013-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Tc),
无铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
详细描述:通孔 P 沟道 60V 320mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
TP0606N3-G-P002
仓库库存编号:
TP0606N3-G-P002-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Tc),
无铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
详细描述:通孔 P 沟道 60V 320mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
TP0606N3-G-P003
仓库库存编号:
TP0606N3-G-P003-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Tc),
无铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET N-CH 40V 0.45A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 450mA(Ta) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
TN0104N3-G-P003
仓库库存编号:
TN0104N3-G-P003-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Tc),
无铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET N-CH 40V 0.45A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 450mA(Ta) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
TN0104N3-G-P014
仓库库存编号:
TN0104N3-G-P014-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Tc),
无铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 350mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
TN0110N3-G-P002
仓库库存编号:
TN0110N3-G-P002-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Tc),
无铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 240V 190mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
VN2410L-G-P013
仓库库存编号:
VN2410L-G-P013-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Tc),
无铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 240V 190mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
VN2410L-G-P014
仓库库存编号:
VN2410L-G-P014-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Tc),
无铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 500mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
TN0610N3-G-P003
仓库库存编号:
TN0610N3-G-P003-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Tc),
无铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET N-CH 100V 500MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 100V 500mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
TN0610N3-G-P013
仓库库存编号:
TN0610N3-G-P013-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Tc),
无铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET N-CH 30V 640MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 640mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
VN0300L-G-P002
仓库库存编号:
VN0300L-G-P002-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Tc),
无铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET N-CH 60V 330MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 60V 330mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
VN0606L-G-P003
仓库库存编号:
VN0606L-G-P003-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Tc),
无铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET N-CH 200V 0.25A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 200V 250mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
TN0620N3-G-P002
仓库库存编号:
TN0620N3-G-P002-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Tc),
无铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET N-CH 200V 0.25A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 200V 250mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
TN0620N3-G-P014
仓库库存编号:
TN0620N3-G-P014-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 800MA 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 60V 800mA(Tc) 1W(Tc) 4-HVMDIP
型号:
IRFD113PBF
仓库库存编号:
IRFD113PBF-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Tc),
无铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 50V 1.2A(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
VN3205N3-G-P002
仓库库存编号:
VN3205N3-G-P002-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Tc),
无铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET N-CH 500V 50MA TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 50mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
VN0550N3-G-P013
仓库库存编号:
VN0550N3-G-P013-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Tc),
无铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET N-CH 120V 0.23A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 230mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
VN1206L-G-P002
仓库库存编号:
VN1206L-G-P002-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Tc),
无铅
搜索
Microchip Technology
MOSFET P-CH 500V 0.054A TO92-3
详细描述:通孔 P 沟道 54mA(Tj) 1W(Tc) TO-92-3
型号:
VP0550N3-G-P013
仓库库存编号:
VP0550N3-G-P013-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Tc),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-DIP
详细描述:通孔 P 沟道 1.1A(Tc) 1W(Tc) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD9010
仓库库存编号:
IRFD9010-ND
别名:*IRFD9010
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Tc),
含铅
搜索
1
2
3
4
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号