产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 49W(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Tc) 49W(Tc) TO-252AA
型号:
HUF76609D3ST
仓库库存编号:
HUF76609D3STFSCT-ND
别名:HUF76609D3STFSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 49W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 49W(Tc) TO-252AA
型号:
RFD12N06RLESM9A
仓库库存编号:
RFD12N06RLESM9ACT-ND
别名:RFD12N06RLESM9ACT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 49W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 49W(Tc) TO-252AA
型号:
HUFA76409D3ST
仓库库存编号:
HUFA76409D3STCT-ND
别名:HUFA76409D3STCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 49W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 5A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 49W(Tc) PG-TO-252
型号:
IPD60R1K5CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD60R1K5CEAUMA1TR-ND
别名:IPD60R1K5CEAUMA1-ND
IPD60R1K5CEAUMA1TR
SP001396902
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 49W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 5A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 49W(Tc) PG-TO-252
型号:
IPD60R1K5CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD60R1K5CEAUMA1CT-ND
别名:IPD60R1K5CEAUMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 49W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 5A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 49W(Tc) PG-TO-252
型号:
IPD60R1K5CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD60R1K5CEAUMA1DKR-ND
别名:IPD60R1K5CEAUMA1DKR
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 49W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 3.1A TO-251-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 3.1A(Tc) 49W(Tc) PG-TO251
型号:
IPU60R1K5CEAKMA2
仓库库存编号:
IPU60R1K5CEAKMA2-ND
别名:SP001396898
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 49W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 10A(Tc) 49W(Tc) D-Pak
型号:
HUF76609D3S
仓库库存编号:
HUF76609D3S-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 49W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 10A TO-251AA
详细描述:通孔 N 沟道 100V 10A(Tc) 49W(Tc) TO-251AA
型号:
HUFA76609D3
仓库库存编号:
HUFA76609D3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 49W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 10A(Tc) 49W(Tc) TO-252AA
型号:
HUFA76609D3S
仓库库存编号:
HUFA76609D3S-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 49W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 18A(Tc) 49W(Tc) TO-252AA
型号:
HUFA76409D3S
仓库库存编号:
HUFA76409D3S-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 49W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 18A(Tc) 49W(Tc) TO-251AA
型号:
HUFA76409D3
仓库库存编号:
HUFA76409D3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 49W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 10A TO-251AA
详细描述:通孔 N 沟道 100V 10A(Tc) 49W(Tc) TO-251AA
型号:
HUF76609D3
仓库库存编号:
HUF76609D3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 49W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 18A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 18A(Tc) 49W(Tc) TO-220AB
型号:
HUFA76409P3
仓库库存编号:
HUFA76409P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 49W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 8.4A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 400V 8.4A(Tc) 49W(Tc) TO-220F
型号:
IRFS750A
仓库库存编号:
IRFS750A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 49W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 10A(Tc) 49W(Tc) TO-252AA
型号:
HUFA76609D3ST
仓库库存编号:
HUFA76609D3STCT-ND
别名:HUFA76609D3STCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 49W(Tc),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 9.7A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 60V 9.7A(Tc) 49W(Tc) TO-220-3
型号:
SFP9Z24
仓库库存编号:
SFP9Z24-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 49W(Tc),
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 51A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 51A(Tj) 49W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN011-30YL,115
仓库库存编号:
568-6902-1-ND
别名:568-6902-1
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 49W(Tc),
无铅
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