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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 200mA（Tc） 400mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：2N7000TA
  仓库库存编号：2N7000TACT-ND
  别名：2N7000TACT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 400mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 400mW（Ta） X2-DFN1006-3
  
  型号：DMN2005LP4K-7
  仓库库存编号：DMN2005LP4KDICT-ND
  别名：DMN2005LP4KDICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 400mW（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 200mA（Ta） 400mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：2N7000
  仓库库存编号：2N7000FS-ND
  别名：2N7000FS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 400mW（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 1A VML1006
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Ta） 400mW（Ta） VML1006
  
  型号：RV2C010UNT2L
  仓库库存编号：RV2C010UNT2LCT-ND
  别名：RV2C010UNT2LCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 400mW（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 200mA（Ta） 400mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：2N7000_D26Z
  仓库库存编号：2N7000_D26ZCT-ND
  别名：2N7000_D26ZCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 400mW（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 200mA（Ta） 400mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：2N7000_D74Z
  仓库库存编号：2N7000_D74ZFSCT-ND
  别名：2N7000_D74ZFSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 400mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CHA 100V 700MA SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 700mA（Ta） 400mW（Ta） SOT-23
  
  型号：DMN10H700S-7
  仓库库存编号：DMN10H700S-7DICT-ND
  别名：DMN10H700S-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 400mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 900mA（Ta） 400mW（Ta） X1-DFN1212-3
  
  型号：DMN2400UFD-7
  仓库库存编号：DMN2400UFD-7DICT-ND
  别名：DMN2400UFD-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 400mW（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.3A（Ta） 400mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：NTR1P02LT1G
  仓库库存编号：NTR1P02LT1GOSCT-ND
  别名：NTR1P02LT1GOS
  NTR1P02LT1GOS-ND
  NTR1P02LT1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 400mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 0.51A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 510mA（Ta） 400mW（Ta） 3-X2-DFN0806
  
  型号：DMN2990UFA-7B
  仓库库存编号：DMN2990UFA-7BDICT-ND
  别名：DMN2990UFA-7BDICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 400mW（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1A（Ta） 400mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：NVR1P02T1G
  仓库库存编号：NVR1P02T1GOSCT-ND
  别名：NVR1P02T1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 400mW（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 200mA（Tc） 400mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：2N7000BU
  仓库库存编号：2N7000BU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 400mW（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 200mA（Ta） 400mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：2N7000_D75Z
  仓库库存编号：2N7000_D75ZFSCT-ND
  别名：2N7000_D75ZFSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 400mW（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.3A（Ta） 400mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：NVTR01P02LT1G
  仓库库存编号：NVTR01P02LT1GOSCT-ND
  别名：NVTR01P02LT1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 400mW（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 1.5A WEMT6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.5A（Ta） 400mW（Ta） 6-WEMT
  
  型号：RW1E015RPT2R
  仓库库存编号：RW1E015RPT2RCT-ND
  别名：RW1E015RPT2RCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 400mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 0.33A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 330mA（Ta） 400mW（Ta） 3-DFN0806H4
  
  型号：DMP22D4UFA-7B
  仓库库存编号：DMP22D4UFA-7BDICT-ND
  别名：DMP22D4UFA-7BDICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 400mW（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 1.5A WEMT6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.5A（Ta） 400mW（Ta） 6-WEMT
  
  型号：RW1A013ZPT2R
  仓库库存编号：RW1A013ZPT2RCT-ND
  别名：RW1A013ZPT2RCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 400mW（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 1.95A SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.13A（Ta） 400mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：NVTR4502PT1G
  仓库库存编号：NVTR4502PT1GOSCT-ND
  别名：NVTR4502PT1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 400mW（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 2.5A WEMT6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.5A（Ta） 400mW（Ta） 6-WEMT
  
  型号：RW1A025APT2CR
  仓库库存编号：RW1A025APT2CRCT-ND
  别名：RW1A025APT2CRCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 400mW（Ta）,
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• IXYS Integrated Circuits Division
  MOSFET N-CH 800V SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400mW（Ta） SOT-23
  
  型号：CPC3982TTR
  仓库库存编号：CLA4160-1-ND
  别名：CLA4160-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 400mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V DFN1212-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 600mA（Ta） 400mW（Ta） X1-DFN1212-3
  
  型号：DMP21D5UFD-7
  仓库库存编号：DMP21D5UFD-7DICT-ND
  别名：DMP21D5UFD-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 400mW（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 700MA DFN1006
  详细描述：表面贴装 P 沟道 700mA（Ta） 400mW（Ta） DFN1006-3
  
  型号：RV2C014BCT2CL
  仓库库存编号：RV2C014BCT2CLCT-ND
  别名：RV2C014BCT2CLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 400mW（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 750mA（Ta） 400mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：MGSF1N02LT1G
  仓库库存编号：MGSF1N02LT1GOSCT-ND
  别名：MGSF1N02LT1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 400mW（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1A（Ta） 400mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：NTR1P02T1G
  仓库库存编号：NTR1P02T1GOSCT-ND
  别名：NTR1P02T1GOS
  NTR1P02T1GOS-ND
  NTR1P02T1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 400mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.5A（Ta） 400mW（Ta） DFN2015H4-3
  
  型号：DMG3415UFY4-7
  仓库库存编号：DMG3415UFY4-7DICT-ND
  别名：DMG3415UFY4-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 400mW（Ta）,
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