产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 400mW（Ta）,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：通孔 N 沟道 300mA（Ta） 400mW（Ta） TO-92
型号：
TSM2N7000KCT A3G
仓库库存编号：
TSM2N7000KCT A3GTB-ND
别名：TSM2N7000KCT A3GTB
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 400mW（Ta）,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：通孔 N 沟道 300mA（Ta） 400mW（Ta） TO-92
型号：
TSM2N7000KCT A3G
仓库库存编号：
TSM2N7000KCT A3GCT-ND
别名：TSM2N7000KCT A3GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 400mW（Ta）,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：通孔 N 沟道 300mA（Ta） 400mW（Ta） TO-92
型号：
TSM2N7000KCT B0G
仓库库存编号：
TSM2N7000KCT B0G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 400mW（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET NCH 100V 700MA SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 700mA（Ta） 400mW（Ta） SOT-23
型号：
DMN10H700S-13
仓库库存编号：
DMN10H700S-13-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 400mW（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 900mA（Ta） 400mW（Ta） U-DFN1212-3
型号：
DMN2400UFDQ-13
仓库库存编号：
DMN2400UFDQ-13DI-ND
别名：DMN2400UFDQ-13DI
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 400mW（Ta）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 0.9A DFN1212-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 900mA（Ta） 400mW（Ta） U-DFN1212-3
型号：
DMN2400UFDQ-7
仓库库存编号：
DMN2400UFDQ-7DI-ND
别名：DMN2400UFDQ-7DI
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 400mW（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 750MA SOT-23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 750mA（Ta） 400mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
MVGSF1N02LT1G
仓库库存编号：
MVGSF1N02LT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 400mW（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 1.5A WEMT6
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.5A（Ta） 400mW（Ta） 6-WEMT
型号：
RW1C015UNT2R
仓库库存编号：
RW1C015UNT2R-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 400mW（Ta）,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 2A WEMT6
详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Ta） 400mW（Ta） 6-WEMT
型号：
RW1C020UNT2R
仓库库存编号：
RW1C020UNT2RTR-ND
别名：RW1C020UNT2R-ND
RW1C020UNT2RTR
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 400mW（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 150MA TO-92
详细描述：通孔 N 沟道 60V 150mA（Ta） 400mW（Ta） TO-92-3
型号：
VN2222LL
仓库库存编号：
VN2222LLOS-ND
别名：VN2222LLOS
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 400mW（Ta）,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 750MA SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 750mA（Ta） 400mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
MGSF1N02LT1
仓库库存编号：
MGSF1N02LT1OSCT-ND
别名：MGSF1N02LT1OSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 400mW（Ta）,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 750MA SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 750mA（Ta） 400mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
MGSF1P02LT1
仓库库存编号：
MGSF1P02LT1OSTR-ND
别名：MGSF1P02LT1OSTR
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 400mW（Ta）,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 150MA TO-92
详细描述：通孔 N 沟道 60V 150mA（Ta） 400mW（Ta） TO-92-3
型号：
2N7008
仓库库存编号：
2N7008OS-ND
别名：2N7008OS
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 400mW（Ta）,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 1A（Ta） 400mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
NTR1P02T1
仓库库存编号：
NTR1P02T1OS-ND
别名：NTR1P02T1OS
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 400mW（Ta）,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 1A（Ta） 400mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
NTR1P02T3
仓库库存编号：
NTR1P02T3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 400mW（Ta）,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 150MA TO-92
详细描述：通孔 N 沟道 60V 150mA（Ta） 400mW（Ta） TO-92-3
型号：
VN2222LLRLRA
仓库库存编号：
VN2222LLRLRA-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 400mW（Ta）,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 150MA TO-92
详细描述：通孔 N 沟道 60V 150mA（Ta） 400mW（Ta） TO-92-3
型号：
VN2222LLRLRAG
仓库库存编号：
VN2222LLRLRAGOSCT-ND
别名：VN2222LLRLRAGOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 400mW（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 20V .5A CST4
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 500mA（Ta） 400mW（Ta） CST4（1.2x0.8）
型号：
SSM4K27CT(TPL3)
仓库库存编号：
SSM4K27CTTPL3CT-ND
别名：SSM4K27CT(TPL3)CT
SSM4K27CT(TPL3)CT-ND
SSM4K27CTTPL3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 400mW（Ta）,
无铅
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