产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 270W(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 75A(Tc) 270W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUF75545S3ST
仓库库存编号:
HUF75545S3STCT-ND
别名:HUF75545S3STCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 270W(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 270W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN1R8-30PL,127
仓库库存编号:
1727-4388-ND
别名:1727-4388
568-5234
568-5234-5
568-5234-5-ND
568-5234-ND
934064002127
PSMN1R830PL127
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 270W(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 38.8A T0247
详细描述:通孔 N 沟道 38.8A(Ta) 270W(Tc) TO-247
型号:
TK39N60W5,S1VF
仓库库存编号:
TK39N60W5S1VF-ND
别名:TK39N60W5,S1VF(S
TK39N60W5S1VF
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 270W(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 38.8A(Ta) 270W(Tc) TO-247
型号:
TK39N60X,S1F
仓库库存编号:
TK39N60XS1F-ND
别名:TK39N60X,S1F(S
TK39N60XS1F
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 270W(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 38.8A TO-3P(N)
详细描述:通孔 N 沟道 38.8A(Ta) 270W(Tc) TO-3P(N)
型号:
TK39J60W5,S1VQ
仓库库存编号:
TK39J60W5S1VQ-ND
别名:TK39J60W5,S1VQ(O
TK39J60W5S1VQ
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 270W(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 270W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN5R0-80BS,118
仓库库存编号:
1727-7124-1-ND
别名:1727-7124-1
568-9494-1
568-9494-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 270W(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 270W(Tc) TO-220AB
型号:
PSMN5R0-80PS,127
仓库库存编号:
1727-4263-ND
别名:1727-4263
568-4894-5
568-4894-5-ND
934063912127
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 270W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 24A TO-3
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 270W(Tc) TO-3PN
型号:
FDA24N50F
仓库库存编号:
FDA24N50F-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 270W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 24A TO-3PN
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 270W(Tc) TO-3PN
型号:
FDA24N50
仓库库存编号:
FDA24N50-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 270W(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 35A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 35A(Ta) 270W(Tc) TO-247
型号:
TK35N65W,S1F
仓库库存编号:
TK35N65WS1F-ND
别名:TK35N65W,S1F(S
TK35N65W,S1F-ND
TK35N65WS1F
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 270W(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 38.8A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 38.8A(Ta) 270W(Tc) TO-247
型号:
TK39N60W,S1VF
仓库库存编号:
TK39N60WS1VF-ND
别名:TK39N60W,S1VF(S
TK39N60WS1VF
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 270W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 75A(Tc) 270W(Tc) TO-220AB
型号:
HUF75545P3
仓库库存编号:
HUF75545P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 270W(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 38.8A(Ta) 270W(Tc) TO-3P(N)
型号:
TK39J60W,S1VQ
仓库库存编号:
TK39J60WS1VQ-ND
别名:TK39J60W,S1VQ(O
TK39J60WS1VQ
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 270W(Tc),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247
详细描述:通孔 N 沟道 40A(Tc) 270W(Tc) HiP247?
型号:
SCT30N120
仓库库存编号:
497-14960-ND
别名:497-14960
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 270W(Tc),
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 270W(Tc) D2PAK
型号:
PSMN1R8-30BL,118
仓库库存编号:
1727-7112-1-ND
别名:1727-7112-1
568-9482-1
568-9482-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 270W(Tc),
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 35A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 650V 35A(Ta) 270W(Tc) TO-247
型号:
TK35N65W5,S1F
仓库库存编号:
TK35N65W5S1F-ND
别名:TK35N65W5,S1F(S
TK35N65W5,S1F-ND
TK35N65W5S1F
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 270W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 90A ISOPLUS247
详细描述:通孔 P 沟道 100V 110A(Tc) 270W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXTR140P10T
仓库库存编号:
IXTR140P10T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 270W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 179A SUPER-220
详细描述:通孔 N 沟道 30V 179A(Tc) 270W(Tc) SUPER-220?(TO-273AA)
型号:
IRLBA3803
仓库库存编号:
IRLBA3803-ND
别名:*IRLBA3803
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 270W(Tc),
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 75A(Tc) 270W(Tc) TO-220AB
型号:
HUF75343P3
仓库库存编号:
HUF75343P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 270W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 75A TO-262AA
详细描述:通孔 N 沟道 55V 75A(Tc) 270W(Tc) TO-262AA
型号:
HUF75343S3
仓库库存编号:
HUF75343S3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 270W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 75A(Tc) 270W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUF75343S3S
仓库库存编号:
HUF75343S3S-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 270W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 75A(Tc) 270W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUF75343S3ST
仓库库存编号:
HUF75343S3ST-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 270W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 75A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 55V 75A(Tc) 270W(Tc) TO-247
型号:
HUF75343G3
仓库库存编号:
HUF75343G3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 270W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 75A(Tc) 270W(Tc) TO-220AB
型号:
HUFA75343P3
仓库库存编号:
HUFA75343P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 270W(Tc),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 75A(Tc) 270W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
HUFA75343S3S
仓库库存编号:
HUFA75343S3S-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 270W(Tc),
无铅
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