产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 380W(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 240A(Tc) 380W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
IRLS3036TRL7PP
仓库库存编号:
IRLS3036TRL7PPCT-ND
别名:IRLS3036TRL7PPCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 380W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK7
详细描述:表面贴装 N 沟道 240A(Tc) 380W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
IRFS3004TRL7PP
仓库库存编号:
IRFS3004TRL7PPCT-ND
别名:IRFS3004TRL7PPCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 380W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 104A(Tc) 380W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4115PBF
仓库库存编号:
IRFB4115PBF-ND
别名:64-0099PBF
64-0099PBF-ND
SP001565902
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 380W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 195A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 195A(Tc) 380W(Tc) TO-220AB
型号:
IRLB3036PBF
仓库库存编号:
IRLB3036PBF-ND
别名:64-0100PBF
64-0100PBF-ND
SP001568396
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 380W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 195A(Ta) 380W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS3004TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS3004TRLPBFCT-ND
别名:IRFS3004TRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 380W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 190A(Tc) 380W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS4010TRL7PP
仓库库存编号:
IRFS4010TRL7PPCT-ND
别名:IRFS4010TRL7PPCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 380W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 195A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 195A(Tc) 380W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB3004PBF
仓库库存编号:
IRFB3004PBF-ND
别名:SP001572420
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 380W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 195A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 195A(Tc) 380W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP4004PBF
仓库库存编号:
IRFP4004PBF-ND
别名:SP001556734
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 380W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 105A(Tc) 380W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
IRFS4115TRL7PP
仓库库存编号:
IRFS4115TRL7PPCT-ND
别名:IRFS4115TRL7PPCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 380W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 142A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 142A(Tc) 380W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF1607PBF
仓库库存编号:
IRF1607PBF-ND
别名:*IRF1607PBF
SP001553894
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 380W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 104A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 104A(Tc) 380W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4115GPBF
仓库库存编号:
IRFB4115GPBF-ND
别名:SP001572390
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 380W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 195A TO262
详细描述:通孔 N 沟道 195A(Tc) 380W(Tc) TO-262
型号:
IRLSL3036PBF
仓库库存编号:
IRLSL3036PBF-ND
别名:SP001559028
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 380W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK7
详细描述:表面贴装 N 沟道 240A(Tc) 380W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
IRLS3034TRL7PP
仓库库存编号:
IRLS3034TRL7PPCT-ND
别名:IRLS3034TRL7PPCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 380W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 195A(Tc) 380W(Tc) D2PAK
型号:
IRLS3036TRLPBF
仓库库存编号:
IRLS3036TRLPBFCT-ND
别名:IRLS3036TRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 380W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 29A ISOPLUS264
详细描述:通孔 N 沟道 29A(Tc) 380W(Tc) ISOPLUS264?
型号:
IXFL38N100Q2
仓库库存编号:
IXFL38N100Q2-ND
别名:614235
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 380W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 56A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 56A(Tc) 380W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB260NPBF
仓库库存编号:
IRFB260NPBF-ND
别名:*IRFB260NPBF
SP001551726
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 380W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 8A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 380W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP20N50P3
仓库库存编号:
IXFP20N50P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 380W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 380W(Tc) TO-3P
型号:
IXFQ20N50P3
仓库库存编号:
IXFQ20N50P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 380W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 20A TO-263AA
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 380W(Tc) TO-263(IXFA)
型号:
IXFA20N50P3
仓库库存编号:
IXFA20N50P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 380W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 20A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 380W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH20N50P3
仓库库存编号:
IXFH20N50P3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 380W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 12A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 380W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH12N90P
仓库库存编号:
IXFH12N90P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 380W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 380W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH10N100P
仓库库存编号:
IXFH10N100P-ND
别名:Q4374359
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 380W(Tc),
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 800V 44A(Tc) 380W(Tc) SOT-227B
型号:
IXKN45N80C
仓库库存编号:
IXKN45N80C-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 380W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 270A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 195A(Tc) 380W(Tc) D2PAK
型号:
AUIRLS3036TRL
仓库库存编号:
AUIRLS3036TRL-ND
别名:SP001519912
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 380W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 300A D2PAK-7P
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 240A(Tc) 380W(Tc) D2PAK(7-Lead)
型号:
AUIRLS3036-7TRL
仓库库存编号:
AUIRLS3036-7TRL-ND
别名:SP001518960
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 380W(Tc),
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