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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 278W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP460BPBF
  仓库库存编号：IRFP460BPBF-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 278W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 37.9A（Tc） 278W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R099C6
  仓库库存编号：IPP60R099C6-ND
  别名：IPP60R099C6XKSA1
  SP000687556
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 278W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 33A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 278W（Tc） D2PAK
  
  型号：SIHB33N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHB33N60E-GE3-ND
  别名：SIHB33N60EGE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 278W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 37.9A（Tc） 278W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R099C6
  仓库库存编号：IPW60R099C6-ND
  别名：IPW60R099C6FKSA1
  SP000641908
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 278W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 37.9A（Tc） 278W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R099P6XKSA1
  仓库库存编号：IPW60R099P6XKSA1-ND
  别名：SP001114658
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 278W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 25A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 278W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG25N40D-E3
  仓库库存编号：SIHG25N40D-E3-ND
  别名：SIHG25N40DE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 278W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 37.9A（Tc） 278W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R099P6XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R099P6XKSA1-ND
  别名：SP001114650
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 278W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 33A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 278W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP33N60EF-GE3
  仓库库存编号：SIHP33N60EF-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 278W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 38A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 278W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R099C6XKSA1
  仓库库存编号：IPP65R099C6XKSA1-ND
  别名：SP000895218
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 278W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 33A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 278W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：SIHB33N60EF-GE3
  仓库库存编号：SIHB33N60EF-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 278W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 278W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG33N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHG33N60E-GE3-ND
  别名：SIHG33N60E-GE3CT
  SIHG33N60E-GE3CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 278W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 278W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG33N60EF-GE3
  仓库库存编号：SIHG33N60EF-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 278W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 25A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 278W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG25N40D-GE3
  仓库库存编号：SIHG25N40D-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 278W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 38A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 278W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：IPI65R099C6XKSA1
  仓库库存编号：IPI65R099C6XKSA1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 278W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 38A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 278W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW65R099C6FKSA1
  仓库库存编号：IPW65R099C6FKSA1-ND
  别名：SP000896396
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 278W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 100V 128A TO247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 128A（Tc） 278W（Tc） TO-247AC
  
  型号：AUIRFP4310Z
  仓库库存编号：AUIRFP4310Z-ND
  别名：SP001522702
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 278W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 28A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 278W（Tc） TO-220
  
  型号：FCP130N60
  仓库库存编号：FCP130N60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 278W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 29A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 278W（Tc） TO-220
  
  型号：FCP125N60E
  仓库库存编号：FCP125N60E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 278W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 28A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 278W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH130N60
  仓库库存编号：FCH130N60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 278W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 29A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 29A（Tc） 278W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH125N60E
  仓库库存编号：FCH125N60E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 278W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 23A
  详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 278W（Tc） TO-220
  
  型号：FCP220N80
  仓库库存编号：FCP220N80-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 278W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 38A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Tc） 278W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R099C6ATMA1
  仓库库存编号：IPB65R099C6ATMA1CT-ND
  别名：IPB65R099C6ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 278W（Tc）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 500V 14A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 278W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT14N50
  仓库库存编号：785-1170-5-ND
  别名：785-1170-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 278W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 33A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 278W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP33N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHP33N60E-GE3-ND
  别名：SIHP33N60EGE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 278W（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 38A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 278W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT38N60BC6
  仓库库存编号：APT38N60BC6-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 278W（Tc）,
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