产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 240V 300MA SOT-89
详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 300mA（Ta） 1W（Ta） SOT-89-3
型号：
ZVN4424ZTA
仓库库存编号：
ZVN4424ZCT-ND
别名：ZVN4424ZCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.3A SOT-363
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.3A（Ta） 1W（Ta） SC-88/SC70-6/SOT-363
型号：
NTJS4151PT1
仓库库存编号：
NTJS4151PT1OSCT-ND
别名：NTJS4151PT1OSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 2A 8-MLP
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2A（Ta） 1W（Ta） 8-MLP，MicroFET（3x2）
型号：
ZXMNS3BM832TA
仓库库存编号：
ZXMNS3BM832CT-ND
别名：ZXMNS3BM832CT
ZXMNS3BM832TA-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 60V 2A 4-UPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 2A（Ta） 1W（Ta） UPAK
型号：
2SK2315TYTR-E
仓库库存编号：
2SK2315TYTR-E-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 3.2A（Ta） 1W（Ta） SC-88/SC70-6/SOT-363
型号：
NTJS3157NT2
仓库库存编号：
NTJS3157NT2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 3.2A（Ta） 1W（Ta） SC-88/SC70-6/SOT-363
型号：
NTJS3157NT4
仓库库存编号：
NTJS3157NT4-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6.9A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6.9A（Ta） 1W（Ta） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4707NT1G
仓库库存编号：
NTMFS4707NT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6.9A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6.9A（Ta） 1W（Ta） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4707NT3G
仓库库存编号：
NTMFS4707NT3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 7.8A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7.8A（Ta） 1W（Ta） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4708NT1G
仓库库存编号：
NTMFS4708NT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 7.8A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7.8A（Ta） 1W（Ta） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4708NT3G
仓库库存编号：
NTMFS4708NT3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 2.9A SC70-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 2.9A（Ta） 1W（Ta） SC-70-6（SOT-363）
型号：
SI1410EDH-T1-E3
仓库库存编号：
SI1410EDH-T1-E3CT-ND
别名：SI1410EDH-T1-E3CT
SI1410EDHT1E3
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 150V 0.42A SC70-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 150V 420mA（Ta） 1W（Ta） SC-70-6（SOT-363）
型号：
SI1411DH-T1-E3
仓库库存编号：
SI1411DH-T1-E3CT-ND
别名：SI1411DH-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 2.3A SC70-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.3A（Ta） 1W（Ta） SC-70-6（SOT-363）
型号：
SI1413EDH-T1-E3
仓库库存编号：
SI1413EDH-T1-E3CT-ND
别名：SI1413EDH-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 2.7A SC70-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 2.7A（Ta） 1W（Ta） SC-70-6（SOT-363）
型号：
SI1417EDH-T1-E3
仓库库存编号：
SI1417EDH-T1-E3CT-ND
别名：SI1417EDH-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 0.3A SC70-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 200V 300mA（Ta） 1W（Ta） SC-70-6（SOT-363）
型号：
SI1419DH-T1-E3
仓库库存编号：
SI1419DH-T1-E3CT-ND
别名：SI1419DH-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.8A（Ta） 1W（Ta） SC-70-6（SOT-363）
型号：
SI1426DH-T1-E3
仓库库存编号：
SI1426DH-T1-E3CT-ND
别名：SI1426DH-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 2.2A（Ta） 1W（Ta） 8-TSSOP
型号：
SI6459BDQ-T1-E3
仓库库存编号：
SI6459BDQ-T1-E3CT-ND
别名：SI6459BDQ-T1-E3CT
SI6459BDQT1E3
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 1.7A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
型号：
NTF2955PT1G
仓库库存编号：
NTF2955PT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 2.2A（Ta） 1W（Ta） 6-TSOP
型号：
NTGD3147FT1G
仓库库存编号：
NTGD3147FT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
型号：
TPC8014(TE12L,Q,M)
仓库库存编号：
TPC8014(TE12L,Q,M)-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 18A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
型号：
TPC8018-H(TE12LQM)
仓库库存编号：
TPC8018-H(TE12LQM)-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
型号：
TPC8021-H(TE12LQ,M
仓库库存编号：
TPC8021-H(TE12LQ,M-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 7.5A SOP8 2-6J1B
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 7.5A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
型号：
TPC8022-H(TE12LQ,M
仓库库存编号：
TPC8022-H(TE12LQ,M-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 40V 8A SOP8 2-6J1B
详细描述：表面贴装 P 沟道 40V 8A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
型号：
TPC8110(TE12L,Q,M)
仓库库存编号：
TPC8110(TE12L,Q,M)-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 11A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
型号：
TPC8111(TE12L,Q,M)
仓库库存编号：
TPC8111(TE12L,Q,M)-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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