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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.4A（Ta） 1W（Ta） SOT-23-3
  
  型号：ZXMN2A14FTA
  仓库库存编号：ZXMN2A14FCT-ND
  别名：ZXMN2A14FCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 2A TSMT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 1W（Ta） TSMT3
  
  型号：RTR020P02TL
  仓库库存编号：RTR020P02TLCT-ND
  别名：RTR020P02TLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：IRLL014NTRPBF
  仓库库存编号：IRLL014NPBFCT-ND
  别名：*IRLL014NTRPBF
  IRLL014NPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 200V SOT23F-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 137mA（Ta） 1W（Ta） SOT-23F
  
  型号：ZXMP2120FFTA
  仓库库存编号：ZXMP2120FFCT-ND
  别名：ZXMP2120FFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 5A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：IRLL024ZTRPBF
  仓库库存编号：IRLL024ZTRPBFCT-ND
  别名：IRLL024ZTRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.6A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：IRFL4310TRPBF
  仓库库存编号：IRFL4310TRPBFCT-ND
  别名：IRFL4310TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 10.4A DFN2523-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10.4A（Ta） 1W（Ta） U-DFN2523-6
  
  型号：DMP3017SFK-7
  仓库库存编号：DMP3017SFK-7DICT-ND
  别名：DMP3017SFK-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.1A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：IRLL024NTRPBF
  仓库库存编号：IRLL024NPBFCT-ND
  别名：*IRLL024NTRPBF
  IRLL024NPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.6A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：IRLL3303TRPBF
  仓库库存编号：IRLL3303PBFCT-ND
  别名：*IRLL3303TRPBF
  IRLL3303PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 150V 420MA SC70
  详细描述：表面贴装 P 沟道 420mA（Ta） 1W（Ta）
  
  型号：SI1411DH-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1411DH-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1411DH-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 600mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD210PBF
  仓库库存编号：IRFD210PBF-ND
  别名：*IRFD210PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.5A（Ta） 1W（Ta） TSMT3
  
  型号：RQ5E035ATTCL
  仓库库存编号：RQ5E035ATTCLCT-ND
  别名：RQ5E035ATTCLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Ta） 1W（Ta） 6-UDFN（2x2）
  
  型号：SSM6H19NU,LF
  仓库库存编号：SSM6H19NULFCT-ND
  别名：SSM6H19NULFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89
  详细描述：表面贴装 P 沟道 190mA（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89
  
  型号：BSS192PH6327FTSA1
  仓库库存编号：BSS192PH6327FTSA1CT-ND
  别名：BSS192PH6327FTSA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 2.5A TSMT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.5A（Ta） 1W（Ta） TSMT3
  
  型号：RZR025P01TL
  仓库库存编号：RZR025P01TLCT-ND
  别名：RZR025P01TLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 3.5A TUMT6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.5A（Ta） 1W（Ta） TUMT6
  
  型号：RTL035N03TR
  仓库库存编号：RTL035N03CT-ND
  别名：RTL035N03CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.5A（Ta） 1W（Ta） TSMT3
  
  型号：RSR015P03TL
  仓库库存编号：RSR015P03TLCT-ND
  别名：RSR015P03TLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89
  
  型号：BSS606NH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS606NH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSS606NH6327XTSA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90mA（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89
  
  型号：BSS225H6327FTSA1
  仓库库存编号：BSS225H6327FTSA1CT-ND
  别名：BSS225H6327FTSA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 3.5A TUMT6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.5A（Ta） 1W（Ta） TUMT6
  
  型号：RZL035P01TR
  仓库库存编号：RZL035P01CT-ND
  别名：RZL035P01CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Texas Instruments
  MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.2A（Ta） 1W（Ta） 4-DSBGA（1x1）
  
  型号：CSD23202W10T
  仓库库存编号：296-38338-1-ND
  别名：296-38338-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.1A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：IRFL024ZTRPBF
  仓库库存编号：IRFL024ZTRPBFCT-ND
  别名：IRFL024ZTRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 0.4A 4-DIP
  详细描述：通孔 P 沟道 400mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD9210PBF
  仓库库存编号：IRFD9210PBF-ND
  别名：*IRFD9210PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 400V 0.18A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 180mA（Tj） 1W（Ta） TO-92-3
  
  型号：TP2640N3-G
  仓库库存编号：TP2640N3-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 490MA 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 490mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD320PBF
  仓库库存编号：IRFD320PBF-ND
  别名：*IRFD320PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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