产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(320)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(320)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (2)
Microchip Technology (9)
Diodes Incorporated (35)
Infineon Technologies (51)
NXP USA Inc. (7)
Fairchild/ON Semiconductor (3)
ON Semiconductor (64)
Panasonic Electronic Components (9)
Renesas Electronics America (1)
Rohm Semiconductor (40)
Texas Instruments (4)
Toshiba Semiconductor and Storage (59)
Vishay Siliconix (36)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 1A TUMT5
详细描述:表面贴装 P 沟道 1A(Ta) 1W(Ta) TUMT5
型号:
US5U38TR
仓库库存编号:
US5U38CT-ND
别名:US5U38CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Ta) 1W(Ta) PowerDI3333-8
型号:
DMG7408SFG-7
仓库库存编号:
DMG7408SFG-7DICT-ND
别名:DMG7408SFG-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 2A TUMT6
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Ta) 1W(Ta) TUMT6
型号:
RSL020P03TR
仓库库存编号:
RSL020P03TRCT-ND
别名:RSL020P03TRCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 20V U-WLB1515-9
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.2A(Ta) 1W(Ta) U-WLB1515-9
型号:
DMP2033UCB9-7
仓库库存编号:
DMP2033UCB9-7DICT-ND
别名:DMP2033UCB9-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT5
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.5A(Ta) 1W(Ta) TUMT5
型号:
US5U3TR
仓库库存编号:
US5U3CT-ND
别名:US5U3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Ta) 1W(Ta) 6-UDFNB(2x2)
型号:
SSM6J502NU,LF(T
仓库库存编号:
SSM6J502NULF(TCT-ND
别名:SSM6J502NULF(TCT
SSM6J502NULFCT
SSM6J502NULFCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.8A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRFL024NTRPBF
仓库库存编号:
IRFL024NTRPBFCT-ND
别名:IRFL024NTRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2A TUMT6
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Ta) 1W(Ta) TUMT6
型号:
RTL020P02TR
仓库库存编号:
RTL020P02CT-ND
别名:RTL020P02CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT6
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.5A(Ta) 1W(Ta) TUMT6
型号:
US6U37TR
仓库库存编号:
US6U37CT-ND
别名:US6U37CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 350MA 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 350mA(Ta) 1W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD310PBF
仓库库存编号:
IRFD310PBF-ND
别名:*IRFD310PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 370MA 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 370mA(Ta) 1W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD420PBF
仓库库存编号:
IRFD420PBF-ND
别名:*IRFD420PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 320MA 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 320mA(Ta) 1W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFDC20PBF
仓库库存编号:
IRFDC20PBF-ND
别名:*IRFDC20PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 4A(Ta) 1W(Ta)
型号:
SSM3K345R,LF
仓库库存编号:
SSM3K345RLFCT-ND
别名:SSM3K345RLFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 3A(Ta) 1W(Ta)
型号:
SSM3K344R,LF
仓库库存编号:
SSM3K344RLFCT-ND
别名:SSM3K344RLFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 6A(Ta) 1W(Ta)
型号:
SSM3J358R,LF
仓库库存编号:
SSM3J358RLFCT-ND
别名:SSM3J358RLFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 2A CST3B
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 2A(Ta) 1W(Ta) CST3B
型号:
SSM3K59CTB,L3F
仓库库存编号:
SSM3K59CTBL3FCT-ND
别名:SSM3K59CTBL3FCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 3A MCPH3
详细描述:表面贴装 P 沟道 3A(Ta) 1W(Ta) SC-70FL/MCPH3
型号:
MCH3374-TL-W
仓库库存编号:
MCH3374-TL-WOSCT-ND
别名:MCH3374-TL-WOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 35V 3A CPH3
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Ta) 1W(Ta) 3-CPH
型号:
CPH3455-TL-W
仓库库存编号:
CPH3455-TL-WOSCT-ND
别名:CPH3455-TL-WOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 240V 260MA SOT-89
详细描述:表面贴装 N 沟道 260mA(Ta) 1W(Ta) PG-SOT89-4-2
型号:
BSS87H6327FTSA1
仓库库存编号:
BSS87H6327FTSA1CT-ND
别名:BSS87H6327FTSA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.3A(Ta) 1W(Ta) PowerDI3333-8
型号:
DMN3029LFG-7
仓库库存编号:
DMN3029LFG-7DICT-ND
别名:DMN3029LFG-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 3.5A MCH3
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.5A(Ta) 1W(Ta) SC-70FL/MCPH3
型号:
MCH3383-TL-H
仓库库存编号:
MCH3383-TL-HOSCT-ND
别名:MCH3383-TL-HOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 45V 700MA TUMT5
详细描述:表面贴装 P 沟道 700mA(Ta) 1W(Ta) TUMT5
型号:
US5U35TR
仓库库存编号:
US5U35CT-ND
别名:US5U35CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 2.5A CPH3
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.5A(Ta) 1W(Ta) 3-CPH
型号:
CPH3355-TL-H
仓库库存编号:
CPH3355-TL-HOSCT-ND
别名:CPH3355-TL-HOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 9.5A POWERDI
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.5A(Ta) 1W(Ta) PowerDI3333-8
型号:
DMS3014SFG-7
仓库库存编号:
DMS3014SFG-7DICT-ND
别名:DMS3014SFG-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3A CPH3
详细描述:表面贴装 P 沟道 3A(Ta) 1W(Ta) 3-CPH
型号:
CPH3350-TL-W
仓库库存编号:
CPH3350-TL-WOSCT-ND
别名:CPH3350-TL-WOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 1W(Ta),
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号