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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 8.5A POWERDI
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.5A（Ta） 1W（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMN3018SFG-7
  仓库库存编号：DMN3018SFG-7DICT-ND
  别名：DMN3018SFG-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Texas Instruments
  MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.6A（Ta） 1W（Ta） 4-DSBGA（1x1）
  
  型号：CSD25213W10
  仓库库存编号：296-40004-1-ND
  别名：296-40004-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 2A TSMT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 1W（Ta） TSMT3
  
  型号：RZR020P01TL
  仓库库存编号：RZR020P01TLCT-ND
  别名：RZR020P01TLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 3A TSMT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 1W（Ta） TSMT3
  
  型号：RQ5A030APTL
  仓库库存编号：RQ5A030APTLCT-ND
  别名：RQ5A030APTLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Ta） 1W（Ta） 6-UDFNB（2x2）
  
  型号：SSM6J503NU,LF(T
  仓库库存编号：SSM6J503NULF(TCT-ND
  别名：SSM6J503NULF(TCT
  SSM6J503NULFCT
  SSM6J503NULFCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-26
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.3A（Ta） 1W（Ta） SOT-26
  
  型号：DMN2100UDM-7
  仓库库存编号：DMN2100UDMDICT-ND
  别名：DMN2100UDMDICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P CH 20V 4A SOT-23F
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F
  
  型号：SSM3J331R,LF
  仓库库存编号：SSM3J331RLFCT-ND
  别名：SSM3J331RLF(TCT
  SSM3J331RLF(TCT-ND
  SSM3J331RLFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Texas Instruments
  MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.2A（Ta） 1W（Ta） 6-DSBGA（1x1.5）
  
  型号：CSD25211W1015
  仓库库存编号：296-36578-1-ND
  别名：296-36578-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P CH 20V 6A UF6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Ta） 1W（Ta） UF6
  
  型号：SSM6J414TU,LF
  仓库库存编号：SSM6J414TULFCT-ND
  别名：SSM6J414TU,LFCT
  SSM6J414TULF(TCT
  SSM6J414TULF(TCT-ND
  SSM6J414TULFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.5A（Ta） 1W（Ta） TSMT3
  
  型号：RTR025P02TL
  仓库库存编号：RTR025P02TLCT-ND
  别名：RTR025P02TLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 25V 4A UWLB1515-9
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 1W（Ta） U-WLB1515-9
  
  型号：DMP2540UCB9-7
  仓库库存编号：DMP2540UCB9-7DICT-ND
  别名：DMP2540UCB9-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 4.1A 4UWLB
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.1A（Ta） 1W（Ta） U-WLB1010-4
  
  型号：DMP2047UCB4-7
  仓库库存编号：DMP2047UCB4-7DICT-ND
  别名：DMP2047UCB4-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8A（Ta） 1W（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMN10H120SFG-13
  仓库库存编号：DMN10H120SFG-13DICT-ND
  别名：DMN10H120SFG-13DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.3A（Ta） 1W（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMN3027LFG-7
  仓库库存编号：DMN3027LFG-7DICT-ND
  别名：DMN3027LFG-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 2A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Ta） 1W（Ta） SOT-223-4
  
  型号：FDT86246L
  仓库库存编号：FDT86246LCT-ND
  别名：FDT86246LCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Ta） 1W（Ta） TSMT3
  
  型号：RSR025N03TL
  仓库库存编号：RSR025N03TLCT-ND
  别名：RSR025N03TLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.5A（Ta） 1W（Ta） TSMT3
  
  型号：RSR025P03TL
  仓库库存编号：RSR025P03TLCT-ND
  别名：RSR025P03TLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.3A（Ta），45A（Tc） 1W（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMN6013LFG-7
  仓库库存编号：DMN6013LFG-7DICT-ND
  别名：DMN6013LFG-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.5A（Ta） 1W（Ta） SOT-23-3
  
  型号：ZXMN2B14FHTA
  仓库库存编号：ZXMN2B14FHCT-ND
  别名：ZXMN2B14FHCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 10.2A DFN2523-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10.2A（Ta） 1W（Ta） U-DFN2523-6
  
  型号：DMP3018SFK-7
  仓库库存编号：DMP3018SFK-7DICT-ND
  别名：DMP3018SFK-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V WLCSP 1X1
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.1A（Ta） 1W（Ta） 4-WLCSP（1x1）
  
  型号：FDZ3N513ZT
  仓库库存编号：FDZ3N513ZTCT-ND
  别名：FDZ3N513ZTCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET N CH 33V 8A WMINI8-F1
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta） 1W（Ta） W迷你型8-F1
  
  型号：FK8V03050L
  仓库库存编号：FK8V03050LCT-ND
  别名：FK8V03050LCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET N CH 33V 10A WMINI8-F1
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 1W（Ta） W迷你型8-F1
  
  型号：FK8V03040L
  仓库库存编号：FK8V03040LCT-ND
  别名：FK8V03040LCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 150V
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.2A（Ta） 1W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS86267P
  仓库库存编号：FDS86267PCT-ND
  别名：FDS86267PCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 16A 8-SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8048-H(TE12L,Q)
  仓库库存编号：TPC8048-HTE12LQCT-ND
  别名：TPC8048-HTE12LQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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