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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.9A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：IRFL014NTRPBF
  仓库库存编号：IRFL014NPBFCT-ND
  别名：*IRFL014NTRPBF
  IRFL014NPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：IRLL2703TRPBF
  仓库库存编号：IRLL2703TRPBFCT-ND
  别名：IRLL2703TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：IRFL4105TRPBF
  仓库库存编号：IRFL4105TRPBFCT-ND
  别名：IRFL4105TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 2A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：AUIRLL014NTR
  仓库库存编号：AUIRLL014NTRCT-ND
  别名：AUIRLL014NTRCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.2A（Ta） 1W（Ta） PG-SOT223
  
  型号：AUIRLL2705TR
  仓库库存编号：AUIRLL2705TRCT-ND
  别名：AUIRLL2705TRCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 800MA 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 800mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD220PBF
  仓库库存编号：IRFD220PBF-ND
  别名：*IRFD220PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 500V 0.2A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200mA（Tj） 1W（Ta） TO-92-3
  
  型号：VN2450N3-G
  仓库库存编号：VN2450N3-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 600V 0.16A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 160mA（Tj） 1W（Ta） TO-92-3
  
  型号：VN2460N3-G
  仓库库存编号：VN2460N3-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 400V 0.175A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 175mA（Tj） 1W（Ta） TO-92-3
  
  型号：TN2540N3-G
  仓库库存编号：TN2540N3-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 0.56A 4-DIP
  详细描述：通孔 P 沟道 560mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD9220PBF
  仓库库存编号：IRFD9220PBF-ND
  别名：*IRFD9220PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 200V 0.175A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 175mA（Tj） 1W（Ta） TO-92-3
  
  型号：TP0620N3-G
  仓库库存编号：TP0620N3-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 350V 0.18A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 180mA（Tj） 1W（Ta） TO-92-3
  
  型号：TP2635N3-G
  仓库库存编号：TP2635N3-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 4A SC96
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta） 1W（Ta） TSMT3
  
  型号：RQ5E040AJTCL
  仓库库存编号：RQ5E040AJTCLCT-ND
  别名：RQ5E040AJTCLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.5A（Ta） 1W（Ta） TSMT3
  
  型号：RQ5E035BNTCL
  仓库库存编号：RQ5E035BNTCLCT-ND
  别名：RQ5E035BNTCLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 60V 2A SOT23F
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F
  
  型号：SSM3J356R,LF
  仓库库存编号：SSM3J356RLFCT-ND
  别名：SSM3J356RLFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 3A SOT23F
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F
  
  型号：SSM3K336R,LF
  仓库库存编号：SSM3K336RLFCT-ND
  别名：SSM3K336RLFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 45V 2.5A TSMT3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Ta） 1W（Ta） TSMT3
  
  型号：RTR025N05TL
  仓库库存编号：RTR025N05TLCT-ND
  别名：RTR025N05TLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 2.3A SC-70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.3A（Ta） 1W（Ta） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1413EDH-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1413EDH-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1413EDH-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.5A（Ta） 1W（Ta） TUMT6
  
  型号：RZL025P01TR
  仓库库存编号：RZL025P01CT-ND
  别名：RZL025P01CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 20V 10A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 1W（Ta） UF6
  
  型号：SSM6K411TU(TE85L,F
  仓库库存编号：SSM6K411TU(TE85LFCT-ND
  别名：SSM6K411TU(TE85LFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 3A TUMT6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 1W（Ta） TUMT6
  
  型号：RTL030P02TR
  仓库库存编号：RTL030P02CT-ND
  别名：RTL030P02CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 40V 14.4A PWDI3333-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14.4A（Ta） 1W（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMN4008LFG-7
  仓库库存编号：DMN4008LFG-7DICT-ND
  别名：DMN4008LFG-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 80V 13A 8-SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP（5.5x6.0）
  
  型号：TPC8051-H(TE12L,Q)
  仓库库存编号：TPC8051-HTE12LQCT-ND
  别名：TPC8051-HTE12LQCT
  TPC8051HTE12LQ
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 1.8A CPH3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.8A（Ta） 1W（Ta） 3-CPH
  
  型号：CPH3351-TL-W
  仓库库存编号：CPH3351-TL-WOSCT-ND
  别名：CPH3351-TL-WOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Ta） 1W（Ta） SOT-23-3
  
  型号：ZXMN3A14FTA
  仓库库存编号：ZXMN3A14FCT-ND
  别名：ZXMN3A14FCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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