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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 4.5A TUMT6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.5A（Ta） 1W（Ta） TUMT6
  
  型号：RAL045P01TCR
  仓库库存编号：RAL045P01TCR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 10.4A DFN2523-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10.4A（Ta） 1W（Ta） U-DFN2523-6
  
  型号：DMP3017SFK-13
  仓库库存编号：DMP3017SFK-13-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 40V 5A 8SOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP
  
  型号：TPC8134,LQ(S
  仓库库存编号：TPC8134LQ(S-ND
  别名：TPC8134LQ(S
  TPC8134LQS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP
  
  型号：TPC8067-H,LQ(S
  仓库库存编号：TPC8067-HLQ(S-ND
  别名：TPC8067-HLQ(S
  TPC8067HLQS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET PCH 60V 7.7A POWERDI
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.7A（Ta） 1W（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMP6023LFGQ-13
  仓库库存编号：DMP6023LFGQ-13-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET PCH 60V 7.7A POWERDI
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.7A（Ta） 1W（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMP6023LFGQ-7
  仓库库存编号：DMP6023LFGQ-7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP
  
  型号：TPC8129,LQ(S
  仓库库存编号：TPC8129LQ(S-ND
  别名：TPC8129LQ(S
  TPC8129LQS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET N CH 33V 12A WMINI8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 1W（Ta） W迷你型8-F1
  
  型号：FK8V03030L
  仓库库存编号：FK8V03030L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 15A 8SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP
  
  型号：TPC8092,LQ(S
  仓库库存编号：TPC8092LQ(S-ND
  别名：TPC8092LQ(S
  TPC8092LQS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 40V 7A 8SOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP
  
  型号：TPC8132,LQ(S
  仓库库存编号：TPC8132LQ(S-ND
  别名：TPC8132LQ(S
  TPC8132LQS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.3A（Ta），45A（Tc） 1W（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMN6013LFGQ-13
  仓库库存编号：DMN6013LFGQ-13-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.3A（Ta），45A（Tc） 1W（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMN6013LFGQ-7
  仓库库存编号：DMN6013LFGQ-7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET PCH 40V 10.3A POWERDI
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10.3A（Ta） 1W（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMP4013LFGQ-13
  仓库库存编号：DMP4013LFGQ-13-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET PCH 40V 10.3A POWERDI
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10.3A（Ta） 1W（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMP4013LFGQ-7
  仓库库存编号：DMP4013LFGQ-7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 11A 8SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP
  
  型号：TPC8066-H,LQ(S
  仓库库存编号：TPC8066-HLQ(S-ND
  别名：TPC8066-HLQ(S
  TPC8066HLQS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET N CH 33V 14A WMINI8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta） 1W（Ta） W迷你型8-F1
  
  型号：FK8V03020L
  仓库库存编号：FK8V03020L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.4A（Ta），34A（Tc） 1W（Ta） V-DFN3333-8
  
  型号：DMT10H015LCG-13
  仓库库存编号：DMT10H015LCG-13-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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  MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.4A（Ta），34A（Tc） 1W（Ta） V-DFN3333-8
  
  型号：DMT10H015LCG-7
  仓库库存编号：DMT10H015LCG-7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 13A 8SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP
  
  型号：TPC8065-H,LQ(S
  仓库库存编号：TPC8065-HLQ(S-ND
  别名：TPC8065-HLQ(S
  TPC8065HLQS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET P-CH 40V 9A 8SOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP
  
  型号：TPC8133,LQ(S
  仓库库存编号：TPC8133LQ(S-ND
  别名：TPC8133LQ(S
  TPC8133LQS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 450mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD214PBF
  仓库库存编号：IRFD214PBF-ND
  别名：*IRFD214PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 630mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD224PBF
  仓库库存编号：IRFD224PBF-ND
  别名：*IRFD224PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 18A（Ta） 1W（Ta） 8-SOP
  
  型号：TPC8062-H,LQ(CM
  仓库库存编号：TPC8062-HLQ(CM-ND
  别名：TPC8062-HLQ(CM
  TPC8062HLQCM
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 600V 0.16A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 160mA（Tj） 1W（Ta） TO-92-3
  
  型号：VN2460N3-G-P003
  仓库库存编号：VN2460N3-G-P003-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 600V 0.16A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 160mA（Tj） 1W（Ta） TO-92-3
  
  型号：VN2460N3-G-P014
  仓库库存编号：VN2460N3-G-P014-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 1W（Ta）,
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