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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 60A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 390W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB4332PBF
  仓库库存编号：IRFB4332PBF-ND
  别名：SP001556040
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 390W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 390W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG32N50D-GE3
  仓库库存编号：SIHG32N50D-GE3-ND
  别名：SIHG32N50DGE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 390W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 22A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Tc） 390W（Tc） TO-263
  
  型号：IXFA22N65X2
  仓库库存编号：IXFA22N65X2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 390W（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 900V 36A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 390W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT36N90BC3G
  仓库库存编号：APT36N90BC3G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 390W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 22A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 390W（Tc） TO-220
  
  型号：IXFP22N65X2
  仓库库存编号：IXFP22N65X2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 390W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 22A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 390W（Tc） TO-247
  
  型号：IXFH22N65X2
  仓库库存编号：IXFH22N65X2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 390W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 170A SOT227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 170A（Tc） 390W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN170N25X3
  仓库库存编号：IXFN170N25X3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 390W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 250V 80A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 390W（Tc） TO-247（IXFH）
  
  型号：IXFH80N25X3
  仓库库存编号：IXFH80N25X3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 390W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 80A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 390W（Tc） TO-220AB（IXFP）
  
  型号：IXFP80N25X3
  仓库库存编号：IXFP80N25X3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 390W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 80A TO263AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 390W（Tc） TO-263AA
  
  型号：IXFA80N25X3
  仓库库存编号：IXFA80N25X3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 390W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 55V 110A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 390W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP110N055P
  仓库库存编号：IXTP110N055P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 390W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 55V 110A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 390W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA110N055P
  仓库库存编号：IXTA110N055P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 390W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 55V 110A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 390W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ110N055P
  仓库库存编号：IXTQ110N055P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 390W（Tc）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 390W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG32N50D-E3
  仓库库存编号：SIHG32N50D-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 390W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 250V 62A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 62A（Tc） 390W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX62N25
  仓库库存编号：IXFX62N25-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 390W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 250V 62A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 62A（Tc） 390W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK62N25
  仓库库存编号：IXTK62N25-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 390W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 150V 90A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 90A（Tc） 390W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK90N15
  仓库库存编号：IXTK90N15-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 390W（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 23A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 23A（Tc） 390W（Tc） SP1
  
  型号：APTM100DA33T1G
  仓库库存编号：APTM100DA33T1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 390W（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 23A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 1000V 23A（Tc） 390W（Tc） SP1
  
  型号：APTM100SK33T1G
  仓库库存编号：APTM100SK33T1G-ND
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 18A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 18A（Tc） 390W（Tc） SP1
  
  型号：APTM120DA56T1G
  仓库库存编号：APTM120DA56T1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 390W（Tc）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 18A SP1
  详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 18A（Tc） 390W（Tc） SP1
  
  型号：APTM120SK56T1G
  仓库库存编号：APTM120SK56T1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 390W（Tc）,
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