产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(180)
晶体管 - FET，MOSFET - 单
(180)
筛选品牌
Diodes Incorporated (84)
Fairchild/ON Semiconductor (1)
ON Semiconductor (28)
Panasonic Electronic Components (7)
Rohm Semiconductor (16)
Taiwan Semiconductor Corporation (6)
Toshiba Semiconductor and Storage (29)
Vishay Siliconix (9)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.2A（Ta） 700mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2301BDS-T1-E3
仓库库存编号：
SI2301BDS-T1-E3CT-ND
别名：SI2301BDS-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT-23
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.5A（Ta） 700mW（Ta） SOT-23-3
型号：
DMP3130L-7
仓库库存编号：
DMP3130LDICT-ND
别名：DMP3130LDICT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.9A（Ta） 700mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2316DS-T1-E3
仓库库存编号：
SI2316DS-T1-E3CT-ND
别名：SI2316DS-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 45V 230MA TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 230mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
型号：
BS250P
仓库库存编号：
BS250P-ND
别名：BS250PTA
MX
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.8A（Ta） 700mW（Ta） SOT-23-3
型号：
DMN3051L-7
仓库库存编号：
DMN3051LDICT-ND
别名：DMN3051LDICT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.5A（Ta） 700mW（Ta） SOT-23
型号：
DMP3130LQ-7
仓库库存编号：
DMP3130LQ-7DICT-ND
别名：DMP3130LQ-7DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-WDFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6A（Ta） 700mW（Ta） 6-WDFN（2x2）
型号：
NTLJS4114NT1G
仓库库存编号：
NTLJS4114NT1GOSCT-ND
别名：NTLJS4114NT1GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.7A（Ta） 700mW（Ta） 6-TSOP
型号：
NTGS3136PT1G
仓库库存编号：
NTGS3136PT1GOSCT-ND
别名：NTGS3136PT1GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 320mA（Ta） 700mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
型号：
ZVNL110ASTZ
仓库库存编号：
ZVNL110ASCT-ND
别名：ZVNL110ASCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 450MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 450mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
型号：
ZVN2106A
仓库库存编号：
ZVN2106A-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 320mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
型号：
ZVN2110A
仓库库存编号：
ZVN2110A-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 600mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
型号：
ZVN4206A
仓库库存编号：
ZVN4206A-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 600mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
型号：
ZVN4206AV
仓库库存编号：
ZVN4206AV-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 200V 180MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 180mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
型号：
ZVNL120A
仓库库存编号：
ZVNL120A-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 320mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
型号：
ZVNL110A
仓库库存编号：
ZVNL110A-ND
别名：TN0110N3
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 280MA TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 280mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
型号：
ZVP2106A
仓库库存编号：
ZVP2106A-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 45mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
型号：
ZVP0545A
仓库库存编号：
ZVP0545A-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 450V 0.09A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 90mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
型号：
ZVN0545A
仓库库存编号：
ZVN0545A-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 2.5A WEMT6
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.5A（Ta） 700mW（Ta） 6-WEMT
型号：
RW1E025RPT2CR
仓库库存编号：
RW1E025RPT2CRCT-ND
别名：RW1E025RPT2CRCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.5A（Ta） 700mW（Ta） 6-WEMT
型号：
RW1C025ZPT2CR
仓库库存编号：
RW1C025ZPT2CRCT-ND
别名：RW1C025ZPT2CRCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 3A WEMT6
详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 700mW（Ta） 6-WEMT
型号：
RW1A030APT2CR
仓库库存编号：
RW1A030APT2CRCT-ND
别名：RW1A030APT2CRCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 240V 0.16A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 160mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
型号：
ZVN0124A
仓库库存编号：
ZVN0124A-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 450mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
型号：
ZVN4210A
仓库库存编号：
ZVN4210A-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.4A（Ta） 700mW（Ta） TSM
型号：
SSM3J306T(TE85L,F)
仓库库存编号：
SSM3J306T(TE85LF)CT-ND
别名：SSM3J306T(TE85LF)CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 1.3A（Ta） 700mW（Ta） SOT-23
型号：
TSM2303CX RFG
仓库库存编号：
TSM2303CX RFGTR-ND
别名：TSM2303CX RFGTR
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
搜索
1
2
3
4
5
6
7
8
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
