产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 450mA（Ta） 700mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
型号：
ZVN4210ASTOA
仓库库存编号：
ZVN4210ASTOA-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 3.9A VS6 2-3T1A
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 3.9A（Ta） 700mW（Ta） VS-6（2.9x2.8）
型号：
TPC6006-H(TE85L,F)
仓库库存编号：
TPC6006-H(TE85L,F)-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 5.5A（Ta） 700mW（Ta） VS-6（2.9x2.8）
型号：
TPC6104(TE85L,F,M)
仓库库存编号：
TPC6104(TE85L,F,M)-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 4.5A VS6 2-3T1A
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.5A（Ta） 700mW（Ta） VS-6（2.9x2.8）
型号：
TPC6107(TE85L,F,M)
仓库库存编号：
TPC6107(TE85L,F,M)-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 6A VS8 2-3U1A
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 6A（Ta） 700mW（Ta） VS-8 (2.9x1.5)
型号：
TPCF8102(TE85L,F,M
仓库库存编号：
TPCF8102(TE85L,F,M-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 8V 3.7A（Ta） 700mW（Ta） 6-WDFN（2x2）
型号：
NTLJS1102PTAG
仓库库存编号：
NTLJS1102PTAG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 8V 3.7A（Ta） 700mW（Ta） 6-WDFN（2x2）
型号：
NTLJS1102PTBG
仓库库存编号：
NTLJS1102PTBG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WDFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.5A（Ta） 700mW（Ta） 6-WDFN（2x2）
型号：
NTLJS3180PZTAG
仓库库存编号：
NTLJS3180PZTAG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WDFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.5A（Ta） 700mW（Ta） 6-WDFN（2x2）
型号：
NTLJS3180PZTBG
仓库库存编号：
NTLJS3180PZTBG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 4.6A SGL 6WDFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2.7A（Ta） 700mW（Ta） 6-WDFN（2x2）
型号：
NTLJS4149PTBG
仓库库存编号：
NTLJS4149PTBG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 20V 5.2A TSM
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 5.2A（Ta） 700mW（Ta） TSM
型号：
SSM3J321T(TE85L,F)
仓库库存编号：
SSM3J321T(TE85LF)CT-ND
别名：SSM3J321T(TE85LF)CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 6A TSM
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6A（Ta） 700mW（Ta） TSM
型号：
SSM3K315T(TE85L,F)
仓库库存编号：
SSM3K315T(TE85LF)CT-ND
别名：SSM3K315T(T5LFT)CT
SSM3K315T(T5LFT)CT-ND
SSM3K315T(TE85L)CT
SSM3K315T(TE85L)CT-ND
SSM3K315T(TE85LF)CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 4A TSM
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 4A（Ta） 700mW（Ta） TSM
型号：
SSM3K316T(TE85L,F)
仓库库存编号：
SSM3K316T(TE85LF)CT-ND
别名：SSM3K316T(T5LFT)CT
SSM3K316T(T5LFT)CT-ND
SSM3K316T(TE85LF)CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 2.9A TSM
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 2.9A（Ta） 700mW（Ta） TSM
型号：
SSM3K303T(TE85L,F)
仓库库存编号：
SSM3K303T(TE85LF)CT-ND
别名：SSM3K303T(TE85LF)CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 1.49A（Ta） 700mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2303BDS-T1
仓库库存编号：
SI2303BDS-T1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 2.1A（Ta） 700mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2302ADS-T1-GE3
仓库库存编号：
SI2302ADS-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 1.49A（Ta） 700mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2303BDS-T1-GE3
仓库库存编号：
SI2303BDS-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 5.9A VS6
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.9A（Ta） 700mW（Ta） VS-6（2.9x2.8）
型号：
TPC6008-H(TE85L,FM
仓库库存编号：
TPC6008-H(TE85LFM-ND
别名：TPC6008-H(TE85LFM
TPC6008HTE85LFM
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 40V 5.3A VS6
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 5.3A（Ta） 700mW（Ta） VS-6（2.9x2.8）
型号：
TPC6009-H(TE85L,FM
仓库库存编号：
TPC6009-H(TE85LFM-ND
别名：TPC6009-H(TE85LFM
TPC6009HTE85LFM
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 6.1A VS6
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 6.1A（Ta） 700mW（Ta） VS-6（2.9x2.8）
型号：
TPC6010-H(TE85L,FM
仓库库存编号：
TPC6010-H(TE85LFM-ND
别名：TPC6010-H(TE85LFM
TPC6010HTE85LFM
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 6A VS6
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6A（Ta） 700mW（Ta） VS-6（2.9x2.8）
型号：
TPC6011(TE85L,F,M)
仓库库存编号：
TPC6011(TE85LFM)-ND
别名：TPC6011(TE85LFM)
TPC6011TE85LFM
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 20V 6A VS6
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 6A（Ta） 700mW（Ta） VS-6（2.9x2.8）
型号：
TPC6012(TE85L,F,M)
仓库库存编号：
TPC6012(TE85LFM)-ND
别名：TPC6012(TE85LFM)
TPC6012TE85LFM
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 30V 2.7A TSM
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2.7A（Ta） 700mW（Ta） TSM
型号：
SSM3J14TTE85LF
仓库库存编号：
SSM3J14TTE85LFCT-ND
别名：SSM3J14TTE85LFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 3A TSM
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 3A（Ta） 700mW（Ta） TSM
型号：
SSM3K302T(TE85L,F)
仓库库存编号：
SSM3K302T(TE85LF)CT-ND
别名：SSM3K302T(TE85LF)CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 20V 4.7A TSM
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 4.7A（Ta） 700mW（Ta） TSM
型号：
SSM3K309T(TE85L,F)
仓库库存编号：
SSM3K309T(TE85LF)CT-ND
别名：SSM3K309T(TE85LF)CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 700mW（Ta）,
无铅
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