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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET P-CH 20V 2A WSSMINI6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 540mW（Ta） WSSMini6-F1
  
  型号：FL6L52010L
  仓库库存编号：FL6L52010L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 540mW（Ta）,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 540mW（Ta） TSMT3
  
  型号：RSR020P05FRATL
  仓库库存编号：RSR020P05FRATL-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 540mW（Ta）,
• 无铅
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET P-CH 20V 2A WSSMINI6-F1
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 540mW（Ta） WSSMini6-F1
  
  型号：MTM861240LBF
  仓库库存编号：MTM861240LBFTR-ND
  别名：MTM861240LBFTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 540mW（Ta）,
• 无铅
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• Panasonic Electronic Components
  MOSFET N-CH 20V 2.2A WSSMINI6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 2.2A（Ta） 540mW（Ta） WSSMini6-F1
  
  型号：MTM867270LBF
  仓库库存编号：MTM867270LBFCT-ND
  别名：MTM867270LBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 540mW（Ta）,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 1.2A（Ta） 540mW（Ta） Micro3?/SOT-23
  
  型号：IRLML2402TR
  仓库库存编号：IRLML2402CT-ND
  别名：*IRLML2402TR
  IRLML2402
  IRLML2402-ND
  IRLML2402CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 540mW（Ta）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 1.2A（Ta） 540mW（Ta） Micro3?/SOT-23
  
  型号：IRLML2803TR
  仓库库存编号：IRLML2803CT-ND
  别名：*IRLML2803TR
  IRLML2803
  IRLML2803-ND
  IRLML2803CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 540mW（Ta）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 760mA（Ta） 540mW（Ta） Micro3?/SOT-23
  
  型号：IRLML5103TR
  仓库库存编号：IRLML5103CT-ND
  别名：*IRLML5103TR
  IRLML5103
  IRLML5103-ND
  IRLML5103CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 540mW（Ta）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 780mA（Ta） 540mW（Ta） Micro3?/SOT-23
  
  型号：IRLML6302TR
  仓库库存编号：IRLML6302CT-ND
  别名：*IRLML6302TR
  IRLML6302
  IRLML6302-ND
  IRLML6302CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 540mW（Ta）,
• 含铅
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