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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.7A（Ta） 625mW（Ta） SC-88/SC70-6/SOT-363
  
  型号：NTJS3151PT1G
  仓库库存编号：NTJS3151PT1GOSCT-ND
  别名：NTJS3151PT1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 0.9A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 900mA（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：ZXM61P02FTA
  仓库库存编号：ZXM61P02FCT-ND
  别名：ZXM61P02F
  ZXM61P02FCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.1A（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：ZXMN2B01FTA
  仓库库存编号：ZXMN2B01FCT-ND
  别名：ZXMN2B01FCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.8A（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：ZXMN3A01FTA
  仓库库存编号：ZXMN3A01FCT-ND
  别名：ZXMN3A01FCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：ZXM61N02FTA
  仓库库存编号：ZXM61N02FCT-ND
  别名：ZXM61N02F
  ZXM61N02FCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.4A（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：ZXM61N03FTA
  仓库库存编号：ZXM61N03FCT-ND
  别名：ZXM61N03F
  ZXM61N03FCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 600MA SC89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600mA（Ta） 625mW（Ta） SC-89-3
  
  型号：FDY300NZ
  仓库库存编号：FDY300NZCT-ND
  别名：FDY300NZCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.1A（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：ZXM61P03FTA
  仓库库存编号：ZXM61P03FCT-ND
  别名：ZXM61P03F
  ZXM61P03FCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 1.4A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.4A（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：ZXMP3A13FTA
  仓库库存编号：ZXMP3A13FCT-ND
  别名：ZXMP3A13FCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 60V 0.9A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 900mA（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：ZXMP6A13FTA
  仓库库存编号：ZXMP6A13FCT-ND
  别名：ZXMP6A13FCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 60V 0.9A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 900mA（Ta） 625mW（Ta） SOT-23
  
  型号：ZXMP6A13FQTA
  仓库库存编号：ZXMP6A13FQTADICT-ND
  别名：ZXMP6A13FQTADICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 600mA（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：ZXMP10A13FTA
  仓库库存编号：ZXMP10A13FCT-ND
  别名：ZXMP10A13FCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V SC-89-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600mA（Ta） 625mW（Ta） SC-89-3
  
  型号：FDY302NZ
  仓库库存编号：FDY302NZCT-ND
  别名：FDY302NZCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 0.83A SC89-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 830mA（Ta） 625mW（Ta） SC-89-3
  
  型号：FDY102PZ
  仓库库存编号：FDY102PZCT-ND
  别名：FDY102PZCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.9A（Ta） 625mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：ZXMN2A01FTA
  仓库库存编号：ZXMN2A01FCT-ND
  别名：ZXMN2A01FCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT-23-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.5A（Ta） 625mW（Ta） SOT-26
  
  型号：ZXM62P03E6TA
  仓库库存编号：ZXM62P03E6CT-ND
  别名：ZXM62P03E6
  ZXM62P03E6CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 400MA TO-92
  详细描述：通孔 N 沟道 400mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：BS270
  仓库库存编号：BS270FS-ND
  别名：BS270-ND
  BS270FS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 60V 160MA TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 160mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVP3306A
  仓库库存编号：ZVP3306A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 270mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：VN10LP
  仓库库存编号：VN10LP-ND
  别名：FVN10LP
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 100V 0.14A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 140mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVP3310A
  仓库库存编号：ZVP3310A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 270mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVN3306A
  仓库库存编号：ZVN3306A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 200mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVN3310A
  仓库库存编号：ZVN3310A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 270mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：BS170P
  仓库库存编号：BS170P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 2.1A SC-70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 1.5A（Ta） 625mW（Ta） SC-70-6
  
  型号：SI1403BDL-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1403BDL-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1403BDL-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 200V 0.1A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100mA（Ta） 625mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVN3320ASTOA
  仓库库存编号：ZVN3320ASTOACT-ND
  别名：ZVN3320ASTOACT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 625mW（Ta）,
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