产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(66)
晶体管 - FET，MOSFET - 单
(66)
筛选品牌
Diodes Incorporated (9)
Nexperia USA Inc. (1)
Fairchild/ON Semiconductor (11)
ON Semiconductor (4)
Renesas Electronics America (3)
Taiwan Semiconductor Corporation (6)
Texas Instruments (2)
Vishay Siliconix (30)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 38A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7.2A（Ta），38A（Tc） 750mW（Ta） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4C13NT1G
仓库库存编号：
NTMFS4C13NT1GOSCT-ND
别名：NTMFS4C13NT1GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2.5A（Ta） 750mW（Ta）
型号：
SI2307BDS-T1-GE3
仓库库存编号：
SI2307BDS-T1-GE3CT-ND
别名：SI2307BDS-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.7A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2323DS-T1-GE3
仓库库存编号：
SI2323DS-T1-GE3CT-ND
别名：SI2323DS-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 1.2A SC70-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.2A（Ta） 750mW（Ta） SC-70-6
型号：
FDG312P
仓库库存编号：
FDG312PCT-ND
别名：FDG312PCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 0.95A SC70-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 950mA（Ta） 750mW（Ta） SC-70-6
型号：
FDG313N
仓库库存编号：
FDG313NFSCT-ND
别名：FDG313NFSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 2A SC70-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Ta） 750mW（Ta） SC-70-6
型号：
FDG315N
仓库库存编号：
FDG315NCT-ND
别名：FDG315NCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 750mW（Ta）
型号：
SI2315BDS-T1-GE3
仓库库存编号：
SI2315BDS-T1-GE3CT-ND
别名：SI2315BDS-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.3A（Ta） 750mW（Ta）
型号：
SI2319DS-T1-GE3
仓库库存编号：
SI2319DS-T1-GE3CT-ND
别名：SI2319DS-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 200V 0.122A SOT23-5
详细描述：表面贴装 P 沟道 122mA（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-5
型号：
ZXMP2120E5TA
仓库库存编号：
ZXMP2120E5CT-ND
别名：ZXMP2120E5CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
PMT560ENEA/SC-73/REEL 7" Q1/T1
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.1A（Ta） 750mW（Ta） SC-73
型号：
PMT560ENEAX
仓库库存编号：
1727-2725-1-ND
别名：1727-2725-1
568-13289-1
568-13289-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.3A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2319DS-T1-E3
仓库库存编号：
SI2319DS-T1-E3CT-ND
别名：SI2319DS-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.6A SC70-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.6A（Ta） 750mW（Ta） SC-70-6
型号：
FDG332PZ
仓库库存编号：
FDG332PZCT-ND
别名：FDG332PZCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.5A（Ta） 750mW（Ta） SC-70-6
型号：
FDG328P
仓库库存编号：
FDG328PFSCT-ND
别名：FDG328PFSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.9A（Ta） 750mW（Ta） SC-70-6
型号：
FDG311N
仓库库存编号：
FDG311NCT-ND
别名：FDG311NCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 750mW（Ta） 6-DSBGA
型号：
CSD25304W1015T
仓库库存编号：
296-38024-1-ND
别名：296-38024-1
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 8.2A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.2A（Ta），46A（Tc） 750mW（Ta） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4C290NT1G
仓库库存编号：
NTMFS4C290NT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.77A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2314EDS-T1-GE3
仓库库存编号：
SI2314EDS-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 4.1A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2333DS-T1-GE3
仓库库存编号：
SI2333DS-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 240V 0.26A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 260mA（Ta） 750mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
型号：
ZVN4424ASTZ
仓库库存编号：
ZVN4424ASTZ-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 240V 0.2A TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 200mA（Ta） 750mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
型号：
ZVP4424ASTZ
仓库库存编号：
ZVP4424ASTZ-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 25V 0.65A SC70-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 25V 650mA（Ta） 750mW（Ta） SC-70-6
型号：
FDG314P
仓库库存编号：
FDG314P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 0.95A SC70-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 950mA（Ta） 750mW（Ta） SC-70-6
型号：
FDG313N_D87Z
仓库库存编号：
FDG313N_D87Z-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 1.5A（Ta） 750mW（Ta） SC-70-6
型号：
FDG326P
仓库库存编号：
FDG326P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 240V 0.26A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 240V 260mA（Ta） 750mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
型号：
ZVN4424ASTOA
仓库库存编号：
ZVN4424ASTOA-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 240V 0.26A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 240V 260mA（Ta） 750mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
型号：
ZVN4424ASTOB
仓库库存编号：
ZVN4424ASTOB-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 750mW（Ta）,
无铅
搜索
1
2
3
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
