产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 350mW(Tc),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Ta) 350mW(Tc) SOT-23
型号:
STR2P3LLH6
仓库库存编号:
497-15520-1-ND
别名:497-15520-1
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 350mW(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET P-CH 20V 1.4A SOT-23
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.4A(Ta) 350mW(Tc) SOT-23
型号:
STR1P2UH7
仓库库存编号:
497-15519-1-ND
别名:497-15519-1
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 350mW(Tc),
无铅
搜索
Rohm Semiconductor
0.9V DRIVE NCH SILICON MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 200mA(Ta) 350mW(Tc) SST3
型号:
RYC002N05T316
仓库库存编号:
RYC002N05T316CT-ND
别名:RYC002N05T316CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 350mW(Tc),
无铅
搜索
Micro Commercial Co
P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Tc) 350mW(Tc) SOT-23
型号:
SI2333-TP
仓库库存编号:
SI2333-TPMSCT-ND
别名:SI2333-TPMSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 350mW(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 350mW(Tc) SOT-23
型号:
STR2N2VH5
仓库库存编号:
497-13883-1-ND
别名:497-13883-1
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 350mW(Tc),
无铅
搜索
Micro Commercial Co
MOSFET N-CH 20V 6A SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 350mW(Tc) SOT-23
型号:
SI3420-TP
仓库库存编号:
SI3420-TP-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 350mW(Tc),
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 0.2A SOT-23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 200mA(Tc) 350mW(Tc) SOT-23-3
型号:
2N7002
仓库库存编号:
497-3111-1-ND
别名:497-3111-1
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 350mW(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 60V 200mA(Ta) 350mW(Tc) TO-92-3
型号:
2N7000RLRA
仓库库存编号:
2N7000RLRAOSCT-ND
别名:2N7000RLRAOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 350mW(Tc),
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 60V 200mA(Ta) 350mW(Tc) TO-92-3
型号:
VN0300L
仓库库存编号:
VN0300LOS-ND
别名:VN0300LOS
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 350mW(Tc),
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 60V 200mA(Ta) 350mW(Tc) TO-92-3
型号:
2N7000RLRAG
仓库库存编号:
2N7000RLRAGOSCT-ND
别名:2N7000RLRAGOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 350mW(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 240V 200MA TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 240V 200mA(Ta) 350mW(Tc) TO-92-3
型号:
VN2410LG
仓库库存编号:
VN2410LGOS-ND
别名:VN2410LGOS
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 350mW(Tc),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 240V 200MA TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 240V 200mA(Ta) 350mW(Tc) TO-92-3
型号:
VN2410LZL1G
仓库库存编号:
VN2410LZL1GOSCT-ND
别名:VN2410LZL1GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 350mW(Tc),
无铅
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