产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 175W（Tc）,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 175W（Tc） HiP247?
型号：
SCT20N120
仓库库存编号：
497-15170-ND
别名：497-15170
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 175W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 15A（Ta），80A（Tc） 175W（Tc） TO-220AB
型号：
FDP070AN06A0
仓库库存编号：
FDP070AN06A0-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 175W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A TO-263AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta） 175W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB070AN06A0_F085
仓库库存编号：
FDB070AN06A0_F085CT-ND
别名：FDB070AN06A0_F085CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 175W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 47A（Tc） 175W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB47N10S-33
仓库库存编号：
IPB47N10S33ATMA1CT-ND
别名：IPB47N10S-33CT
IPB47N10S-33CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 175W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），80A（Tc） 175W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB070AN06A0
仓库库存编号：
FDB070AN06A0CT-ND
别名：FDB070AN06A0CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 175W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：通孔 N 沟道 175W（Tc） TO-220AB
型号：
SQP120N06-06_GE3
仓库库存编号：
SQP120N06-06_GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 175W（Tc）,
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Microsemi Corporation
POWER MOSFET - SIC
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 25A（Tc） 175W（Tc） D3
型号：
APT25SM120S
仓库库存编号：
APT25SM120S-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 175W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 47A（Tc） 175W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB47N10SL-26
仓库库存编号：
IPB47N10SL26ATMA1CT-ND
别名：IPB47N10SL-26CT
IPB47N10SL-26CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 175W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 47A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 47A（Tc） 175W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI47N10S33AKSA1
仓库库存编号：
IPI47N10S33AKSA1-ND
别名：IPI47N10S-33
IPI47N10S-33-ND
SP000225703
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 175W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 47A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 47A（Tc） 175W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI47N10SL26AKSA1
仓库库存编号：
IPI47N10SL26AKSA1-ND
别名：IPI47N10SL-26
IPI47N10SL-26-ND
SP000225704
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 175W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 550V 14A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 550V 14A（Tc） 175W（Tc） TO-247-3
型号：
STW14NM50
仓库库存编号：
497-3259-5-ND
别名：497-3259-5
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 175W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 100A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 175W（Tc） TO-220AB
型号：
HRF3205
仓库库存编号：
HRF3205-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 175W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 55V 75A（Tc） 175W（Tc） TO-220AB
型号：
HUF75337P3
仓库库存编号：
HUF75337P3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 175W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 75A（Tc） 175W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
HUF75337S3S
仓库库存编号：
HUF75337S3S-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 175W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 55V 75A（Tc） 175W（Tc） TO-220AB
型号：
HUFA75337P3
仓库库存编号：
HUFA75337P3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 175W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 75A（Tc） 175W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
HUFA75337S3S
仓库库存编号：
HUFA75337S3S-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 175W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 75A（Tc） 175W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
HUFA75337S3ST
仓库库存编号：
HUFA75337S3ST-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 175W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 75A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 55V 75A（Tc） 175W（Tc） TO-247
型号：
HUFA75337G3
仓库库存编号：
HUFA75337G3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 175W（Tc）,
无铅
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Microsemi Corporation
POWER MOSFET - SIC
详细描述：通孔 N 沟道 1200V 25A（Tc） 175W（Tc） TO-247
型号：
APT25SM120B
仓库库存编号：
APT25SM120B-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 175W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 47A（Tc） 175W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB47N10
仓库库存编号：
SPB47N10-ND
别名：SP000012327
SPB47N10T
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 175W（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 47A（Tc） 175W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB47N10L
仓库库存编号：
SPB47N10L-ND
别名：SP000012078
SPB47N10LT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 175W（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 47A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 100V 47A（Tc） 175W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI47N10
仓库库存编号：
SPI47N10-ND
别名：SP000013951
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 175W（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 47A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 100V 47A（Tc） 175W（Tc） PG-TO262-3-1
型号：
SPI47N10L
仓库库存编号：
SPI47N10L-ND
别名：SP000013952
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 175W（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 47A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 100V 47A（Tc） 175W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP47N10
仓库库存编号：
SPP47N10-ND
别名：SP000012415
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 175W（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 47A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 100V 47A（Tc） 175W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP47N10L
仓库库存编号：
SPP47N10L-ND
别名：SP000012102
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 175W（Tc）,
含铅
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