产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 104W(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 6.9A(Tc) 104W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW90R800C3
仓库库存编号:
IPW90R800C3-ND
别名:IPW90R800C3FKSA1
SP000413758
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 104W(Tc),
无铅
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Texas Instruments
40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF
详细描述:表面贴装 N 沟道 159A(Tc) 104W(Tc) 8-VSONP(5x6)
型号:
CSD18511Q5AT
仓库库存编号:
296-45230-1-ND
别名:296-45230-1
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 104W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 13.8A(Tc) 104W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R280C6
仓库库存编号:
IPW60R280C6-ND
别名:IPW60R280C6FKSA1
SP000645032
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 104W(Tc),
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 44A ISO TO247
详细描述:通孔 N 沟道 44A(Tc) 104W(Tc) TO-247(IXFJ)
型号:
IXFJ80N25X3
仓库库存编号:
IXFJ80N25X3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 104W(Tc),
无铅
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IXYS
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
详细描述:通孔 N 沟道 400mA(Tc) 104W(Tc) TO-247HV
型号:
IXTH04N300P3HV
仓库库存编号:
IXTH04N300P3HV-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 104W(Tc),
不受无铅要求限制
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 12A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 104W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI50R299CPXKSA1
仓库库存编号:
IPI50R299CPXKSA1-ND
别名:IPI50R299CP
IPI50R299CP-ND
SP000523748
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 104W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO247-3
详细描述:通孔 N 沟道 13.8A(Tc) 104W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R280P6FKSA1
仓库库存编号:
IPW60R280P6FKSA1-ND
别名:SP001017086
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 104W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 13.8A(Tc) 104W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB60R280C6
仓库库存编号:
IPB60R280C6CT-ND
别名:IPB60R280C6CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 104W(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V 8A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 104W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI08N80C3
仓库库存编号:
SPI08N80C3IN-ND
别名:SP000014819
SP000683148
SPI08N80C3-ND
SPI08N80C3IN
SPI08N80C3X
SPI08N80C3XK
SPI08N80C3XKSA1
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 104W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 125V 60A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR696DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR696DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR696DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 104W(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 185A(Tc) 104W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM018NA03CR RLG
仓库库存编号:
TSM018NA03CR RLGTR-ND
别名:TSM018NA03CR RLGTR
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 104W(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 185A(Tc) 104W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM018NA03CR RLG
仓库库存编号:
TSM018NA03CR RLGCT-ND
别名:TSM018NA03CR RLGCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 104W(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 185A(Tc) 104W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM018NA03CR RLG
仓库库存编号:
TSM018NA03CR RLGDKR-ND
别名:TSM018NA03CR RLGDKR
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 104W(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 205A(Tc) 104W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM015NA03CR RLG
仓库库存编号:
TSM015NA03CR RLGTR-ND
别名:TSM015NA03CR RLGTR
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 104W(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 205A(Tc) 104W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM015NA03CR RLG
仓库库存编号:
TSM015NA03CR RLGCT-ND
别名:TSM015NA03CR RLGCT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 104W(Tc),
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述:表面贴装 N 沟道 205A(Tc) 104W(Tc) 8-PDFN(5x6)
型号:
TSM015NA03CR RLG
仓库库存编号:
TSM015NA03CR RLGDKR-ND
别名:TSM015NA03CR RLGDKR
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 104W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 34.4A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 34.4A(Tc) 104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR690DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR690DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR690DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 104W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 24.2A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 24.2A(Tc) 104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR692DP-T1-RE3
仓库库存编号:
SIR692DP-T1-RE3CT-ND
别名:SIR692DP-T1-RE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 104W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 100A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR626DP-T1-RE3
仓库库存编号:
SIR626DP-T1-RE3CT-ND
别名:SIR626DP-T1-RE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 104W(Tc),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 35.4A SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 35.4A(Tc) 104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR610DP-T1-RE3
仓库库存编号:
SIR610DP-T1-RE3CT-ND
别名:SIR610DP-T1-RE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 104W(Tc),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 100A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR680DP-T1-RE3
仓库库存编号:
SIR680DP-T1-RE3CT-ND
别名:SIR680DP-T1-RE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 104W(Tc),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 95A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 95A(Tc) 104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR668DP-T1-RE3
仓库库存编号:
SIR668DP-T1-RE3CT-ND
别名:SIR668DP-T1-RE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 104W(Tc),
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 500V 5A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 104W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD5N50
仓库库存编号:
AOD5N50-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 104W(Tc),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.3A(Tc) 104W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD6N50
仓库库存编号:
785-1482-1-ND
别名:785-1482-1
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 4A TO251A
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 104W(Tc) TO-251A
型号:
AOI4N60
仓库库存编号:
AOI4N60-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:功率耗散(最大值) 104W(Tc),
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