产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 55W（Tc）,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 58A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta），58A（Tc） 55W（Tc） TO-252AA
型号：
FDD8880
仓库库存编号：
FDD8880CT-ND
别名：FDD8880CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 55W（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 58A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 58A（Tc） 55W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR8729TRPBF
仓库库存编号：
IRLR8729TRPBFCT-ND
别名：IRLR8729TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 55W（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V 44A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 44A（Tc） 55W（Tc） LFPAK33
型号：
BUK9M14-40EX
仓库库存编号：
1727-2571-1-ND
别名：1727-2571-1
568-13015-1
568-13015-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 55W（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 54A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 54A（Tc） 55W（Tc） LFPAK33
型号：
BUK9M10-30EX
仓库库存编号：
1727-2567-1-ND
别名：1727-2567-1
568-13011-1
568-13011-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 55W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 46A SO8
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 46A（Tc） 55W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJA94EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJA94EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJA94EP-T1_GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 55W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 57A SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 57A（Tc） 55W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJA06EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJA06EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJA06EP-T1_GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 55W（Tc）,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 55A D-PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 12.6A（Ta），55A（Tc） 55W（Tc） TO-252AA
型号：
FDD8882
仓库库存编号：
FDD8882CT-ND
别名：FDD8882CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 55W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 46A SO8
详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Tc） 55W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJA84EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJA84EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJA84EP-T1_GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 55W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 7A PWRFLAT HV
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 55W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL15N60M2-EP
仓库库存编号：
497-15912-1-ND
别名：497-15912-1
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 55W（Tc）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 7A PWRFLAT56
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 55W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL13N60M2
仓库库存编号：
497-14966-1-ND
别名：497-14966-1
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 55W（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 79A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 79A（Tc） 55W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN6R0-30YL,115
仓库库存编号：
1727-4169-1-ND
别名：1727-4169-1
568-4685-1
568-4685-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 55W（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V 32A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 55W（Tc） LFPAK33
型号：
BUK9M24-60EX
仓库库存编号：
1727-2577-1-ND
别名：1727-2577-1
568-13021-1
568-13021-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 55W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 3.2A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 3.2A（Tc） 55W（Tc） TO-220AB
型号：
FQP3N30
仓库库存编号：
FQP3N30-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 55W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 54A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 11A（Ta），54A（Tc） 55W（Tc） TO-220AB
型号：
FDP8880
仓库库存编号：
FDP8880FS-ND
别名：FDP8880-ND
FDP8880FS
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 55W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 14A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 55W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF27N25
仓库库存编号：
FQPF27N25FS-ND
别名：FQPF27N25-ND
FQPF27N25FS
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 55W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 54A TO-263AB
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），54A（Tc） 55W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
型号：
FDB8880
仓库库存编号：
FDB8880CT-ND
别名：FDB8880CT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 55W（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V MLFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 48A（Tc） 55W（Tc） LFPAK33
型号：
BUK7M12-40EX
仓库库存编号：
1727-2556-1-ND
别名：1727-2556-1
568-13000-1
568-13000-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 55W（Tc）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 60V MLFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 35.8A（Tc） 55W（Tc） LFPAK33
型号：
BUK7M19-60EX
仓库库存编号：
1727-2558-1-ND
别名：1727-2558-1
568-13002-1
568-13002-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 55W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 2A X2 TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 55W（Tc） TO-252
型号：
IXTY2N65X2
仓库库存编号：
IXTY2N65X2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 55W（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 2A X2 TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 55W（Tc） TO-220
型号：
IXTP2N65X2
仓库库存编号：
IXTP2N65X2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 55W（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
TRENCH 6 40V FET
详细描述：表面贴装 N 沟道 85A（Tc） 55W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
型号：
NVTFS5C454NLWFTAG
仓库库存编号：
NVTFS5C454NLWFTAGOSCT-ND
别名：NVTFS5C454NLWFTAGOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 55W（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 55W（Tc） DPAK
型号：
NVD5414NT4G-VF01
仓库库存编号：
NVD5414NT4G-VF01-ND
别名：NVD5414NT4G
NVD5414NT4G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 55W（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 14A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 55W（Tc） TO-220-3
型号：
IRF530A
仓库库存编号：
IRF530A-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 55W（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 55W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJ886EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ886EP-T1_GE3-ND
别名：SQJ886EP-T1-GE3
SQJ886EP-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 55W（Tc）,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 30V 45A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 45A（Ta） 55W（Tc） LFPAK
型号：
RJK0330DPB-01#J0
仓库库存编号：
RJK0330DPB-01#J0CT-ND
别名：RJK0330DPB-01#J0CT
RJK0330DPB01J0
产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 55W（Tc）,
无铅
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