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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.3A（Tc） 82W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF630NSTRLPBF
  仓库库存编号：IRF630NSTRLPBFCT-ND
  别名：IRF630NSTRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 82W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 9.3A（Tc） 82W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF630NPBF
  仓库库存编号：IRF630NPBF-ND
  别名：*IRF630NPBF
  SP001564792
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 82W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 7A（Tc） 82W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R650CEBTMA1
  仓库库存编号：IPD60R650CEBTMA1-ND
  别名：SP001369530
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 82W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 51A（Tc） 82W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ46ZSTRLPBF
  仓库库存编号：IRFZ46ZSTRLPBF-ND
  别名：SP001571826
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 82W（Tc）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 18A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 60V 18A（Tc） 82W（Tc） TO-220-3
  
  型号：SFP9Z34
  仓库库存编号：SFP9Z34-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 82W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9.3A（Tc） 82W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF630NS
  仓库库存编号：IRF630NS-ND
  别名：*IRF630NS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 82W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 9.3A（Tc） 82W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF630NL
  仓库库存编号：IRF630NL-ND
  别名：*IRF630NL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 82W（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 9.3A（Tc） 82W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF630NSTRR
  仓库库存编号：IRF630NSTRR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 82W（Tc）,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 30A（Tc） 82W（Tc） P-TO251-3
  
  型号：SPU30N03S2L-10
  仓库库存编号：SPU30N03S2L-10IN-ND
  别名：SP000013467
  SPU30N03S2L-10IN
  SPU30N03S2L-10XTIN
  SPU30N03S2L-10XTIN-ND
  SPU30N03S2L10X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 82W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 51A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 51A（Tc） 82W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFZ46Z
  仓库库存编号：IRFZ46Z-ND
  别名：*IRFZ46Z
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 82W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 51A（Tc） 82W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ46ZS
  仓库库存编号：IRFZ46ZS-ND
  别名：*IRFZ46ZS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 82W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 51A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 51A（Tc） 82W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFZ46ZL
  仓库库存编号：IRFZ46ZL-ND
  别名：*IRFZ46ZL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 82W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 51A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 51A（Tc） 82W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFZ46ZPBF
  仓库库存编号：IRFZ46ZPBF-ND
  别名：*IRFZ46ZPBF
  SP001571882
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 82W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 51A（Tc） 82W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFZ46ZSPBF
  仓库库存编号：IRFZ46ZSPBF-ND
  别名：*IRFZ46ZSPBF
  SP001550294
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 82W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 9.3A（Tc） 82W（Tc） TO-262
  
  型号：IRF630NLPBF
  仓库库存编号：IRF630NLPBF-ND
  别名：*IRF630NLPBF
  SP001559690
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 82W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 51A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 51A（Tc） 82W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFZ46ZLPBF
  仓库库存编号：IRFZ46ZLPBF-ND
  别名：*IRFZ46ZLPBF
  SP001576304
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 82W（Tc）,
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