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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 160A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 160A（Tc） 430W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP160N10T
  仓库库存编号：IXTP160N10T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 430W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 160A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 160A（Tc） 430W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH160N10T
  仓库库存编号：IXTH160N10T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 430W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 100V 160A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 160A（Tc） 430W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ160N10T
  仓库库存编号：IXTQ160N10T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 430W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 100V 160A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 430W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA160N10T
  仓库库存编号：IXTA160N10T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 430W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 100V 160A TO-263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 430W（Tc） TO-263-7（IXTA..7）
  
  型号：IXTA160N10T7
  仓库库存编号：IXTA160N10T7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 430W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 85V 180A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 85V 180A（Tc） 430W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA180N085T
  仓库库存编号：IXTA180N085T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 430W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 85V 180A TO-263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 85V 180A（Tc） 430W（Tc） TO-263-7（IXTA..7）
  
  型号：IXTA180N085T7
  仓库库存编号：IXTA180N085T7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 430W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 75V 200A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 200A（Tc） 430W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA200N075T
  仓库库存编号：IXTA200N075T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 430W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 75V 200A TO-263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75V 200A（Tc） 430W（Tc） TO-263-7（IXTA..7）
  
  型号：IXTA200N075T7
  仓库库存编号：IXTA200N075T7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 430W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 55V 220A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 220A（Tc） 430W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA220N055T
  仓库库存编号：IXTA220N055T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 430W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 55V 220A TO-263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 220A（Tc） 430W（Tc） TO-263-7（IXTA..7）
  
  型号：IXTA220N055T7
  仓库库存编号：IXTA220N055T7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 430W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 85V 180A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 85V 180A（Tc） 430W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH180N085T
  仓库库存编号：IXTH180N085T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 430W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 75V 200A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 200A（Tc） 430W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH200N075T
  仓库库存编号：IXTH200N075T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 430W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 55V 220A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 220A（Tc） 430W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH220N055T
  仓库库存编号：IXTH220N055T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 430W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 85V 180A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 85V 180A（Tc） 430W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP180N085T
  仓库库存编号：IXTP180N085T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 430W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 75V 200A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 200A（Tc） 430W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP200N075T
  仓库库存编号：IXTP200N075T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 430W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 55V 220A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 220A（Tc） 430W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP220N055T
  仓库库存编号：IXTP220N055T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 430W（Tc）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 85V 180A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 85V 180A（Tc） 430W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ180N085T
  仓库库存编号：IXTQ180N085T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 430W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 75V 200A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 200A（Tc） 430W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ200N075T
  仓库库存编号：IXTQ200N075T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 430W（Tc）,
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  MOSFET N-CH 55V 220A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 220A（Tc） 430W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ220N055T
  仓库库存编号：IXTQ220N055T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 430W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 60A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 250V 60A（Tc） 430W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP4232PBF
  仓库库存编号：IRFP4232PBF-ND
  别名：Q2102191
  SP001571078
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 430W（Tc）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 300V 46A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 46A（Tc） 430W（Tc） TO-247AC
  
  型号：64-6006PBF
  仓库库存编号：64-6006PBF-ND
  别名：IRFP4242PBF
  IRFP4242PBF-ND
  SP001519088
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：功率耗散（最大值） 430W（Tc）,
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