产品分类:分立半导体产品,品牌:Texas Instruments,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
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分立半导体产品
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.1A(Ta) 500mW(Ta) 3-PICOSTAR
型号:
CSD13381F4
仓库库存编号:
296-38912-2-ND
别名:296-38912-2
CSD13381F4-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Texas Instruments,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.6A(Ta) 1.2W(Ta) 4-DSBGA(1x1)
型号:
CSD13201W10
仓库库存编号:
296-41412-1-ND
别名:296-41412-1
产品分类:分立半导体产品,品牌:Texas Instruments,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.1A(Ta) 500mW(Ta) 3-PICOSTAR
型号:
CSD13381F4T
仓库库存编号:
296-37779-1-ND
别名:296-37779-1
产品分类:分立半导体产品,品牌:Texas Instruments,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 12V 1.8A PICOSTAR
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.8A(Ta) 500mW(Ta) 3-PICOSTAR
型号:
CSD23280F3T
仓库库存编号:
296-44150-1-ND
别名:296-44150-1
产品分类:分立半导体产品,品牌:Texas Instruments,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 12V 6DSBGA
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.5A(Ta) 1.9W(Ta) 6-DSBGA(1x1.5)
型号:
CSD13306WT
仓库库存编号:
296-41134-1-ND
别名:296-41134-1
产品分类:分立半导体产品,品牌:Texas Instruments,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 12V 22A 3PICOSTAR
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.5A(Ta) 500mW(Ta) 3-PICOSTAR
型号:
CSD23382F4T
仓库库存编号:
296-37874-1-ND
别名:296-37874-1
产品分类:分立半导体产品,品牌:Texas Instruments,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 12V 3PICOSTAR
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.9A(Ta) 500mW(Ta) 3-PICOSTAR
型号:
CSD13383F4T
仓库库存编号:
296-38621-1-ND
别名:296-38621-1
产品分类:分立半导体产品,品牌:Texas Instruments,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.2A(Ta) 1W(Ta) 4-DSBGA(1x1)
型号:
CSD23202W10T
仓库库存编号:
296-38338-1-ND
别名:296-38338-1
产品分类:分立半导体产品,品牌:Texas Instruments,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Texas Instruments
12V N-CHANNEL FEMTOFET MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 12V 3.6A(Ta) 500mW(Ta) 3-PICOSTAR
型号:
CSD13380F3T
仓库库存编号:
296-45086-1-ND
别名:296-45086-1
产品分类:分立半导体产品,品牌:Texas Instruments,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Texas Instruments
12V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE
详细描述:表面贴装 N 沟道 12V 4.3A(Ta) 500mW(Ta) 3-PICOSTAR
型号:
CSD13385F5T
仓库库存编号:
296-45087-1-ND
别名:296-45087-1
产品分类:分立半导体产品,品牌:Texas Instruments,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Texas Instruments
12V P-CHANNEL FEMTOFET MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.4A(Ta) 500mW(Ta) 3-PICOSTAR
型号:
CSD23285F5T
仓库库存编号:
296-44809-1-ND
别名:296-44809-1
产品分类:分立半导体产品,品牌:Texas Instruments,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA
详细描述:表面贴装 N 沟道 31A(Ta) 1.65W(Ta) 6-DSBGA
型号:
CSD13303W1015
仓库库存编号:
296-39990-1-ND
别名:296-39990-1
产品分类:分立半导体产品,品牌:Texas Instruments,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 12V 3PICOSTAR
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.3A(Ta) 500mW(Ta) 3-PICOSTAR
型号:
CSD23381F4T
仓库库存编号:
296-37782-1-ND
别名:296-37782-1
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无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 12V 76A 6SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta) 2.7W(Ta) 6-WSON(2x2)
型号:
CSD13202Q2
仓库库存编号:
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别名:296-38911-1
产品分类:分立半导体产品,品牌:Texas Instruments,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 12V 1.8A PICOSTAR
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.8A(Ta) 500mW(Ta) 3-PICOSTAR
型号:
CSD23280F3
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CSD23280F3-ND
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 12V 1.6A
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.6A(Ta) 1.8W(Ta) 4-DSBGA
型号:
CSD13302W
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CSD13302W-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Texas Instruments,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
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CHANNEL NEXFET POWER MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.6A(Ta) 1.8W(Ta) 4-DSBGA(1x1)
型号:
CSD13302WT
仓库库存编号:
CSD13302WT-ND
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 12V 3.5A
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.5A(Ta) 1.9W(Ta) 6-DSBGA(1x1.5)
型号:
CSD13306W
仓库库存编号:
CSD13306W-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Texas Instruments,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 2.2A(Tc) 1W(Ta) 4-DSBGA(1x1)
型号:
CSD23201W10
仓库库存编号:
296-24258-1-ND
别名:296-24258-1
产品分类:分立半导体产品,品牌:Texas Instruments,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
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