产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 12V 8.2A 6DFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 8.2A(Ta) 1.7W(Ta),12.5W(Tc) 6-DFN2020MD(2x2)
型号:
PMPB15XPH
仓库库存编号:
1727-1366-1-ND
别名:1727-1366-1
568-10812-1
568-10812-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 12V SOT1220
详细描述:表面贴装 P 沟道 8.2A(Ta) 1.7W(Ta),12.5W(Tc) 6-DFN2020MD(2x2)
型号:
PMPB15XPZ
仓库库存编号:
PMPB15XPZ-ND
别名:934066615184
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 8A(Tc) 5W(Tc) 6-TSOP
型号:
SQ3461EV-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ3461EV-T1_GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333
详细描述:表面贴装 P 沟道 19A(Tc) 2.16W PowerDI3333-8
型号:
DMP1011LFV-13
仓库库存编号:
DMP1011LFV-13-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333
详细描述:表面贴装 P 沟道 19A(Tc) 2.16W PowerDI3333-8
型号:
DMP1011LFV-7
仓库库存编号:
DMP1011LFV-7-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
搜索
Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8
详细描述:表面贴装 P 沟道 7A(Ta) 550mW(Ta) TSMT8
型号:
RQ1A070APTR
仓库库存编号:
RQ1A070APTR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 10A ECH8
详细描述:表面贴装 P 沟道 10A(Ta) 1.6W(Ta) 8-ECH
型号:
ECH8308-TL-H
仓库库存编号:
ECH8308-TL-H-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.5A 550mW Surface Mount TSMT8
型号:
QS8J12TCR
仓库库存编号:
QS8J12TCR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Panasonic Electronic Components
MOSFET 2P-CH 12V 4.8A WMINI8
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.8A 1W Surface Mount WMini8-F1
型号:
MTM684100LBF
仓库库存编号:
MTM684100LBFCT-ND
别名:MTM684100LBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 9.5A ECH8
详细描述:表面贴装 P 沟道 9.5A(Ta) 1.5W(Ta) 8-ECH
型号:
ECH8309-TL-H
仓库库存编号:
ECH8309-TL-H-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4A 550mW Surface Mount TSMT8
型号:
QS8J2TR
仓库库存编号:
QS8J2TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.1A(Ta) 750mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2333DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2333DS-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2P-CH 12V 9A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 9A 2W Surface Mount 8-SOIC
型号:
AO4821
仓库库存编号:
AO4821-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI5060
详细描述:表面贴装 P 沟道 80A(Tc) 3.2W PowerDI5060-8
型号:
DMPH1006UPS-13
仓库库存编号:
DMPH1006UPS-13-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 15A(Tc) 6W(Tc) 8-SOIC
型号:
SQ4005EY-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ4005EY-T1_GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 16A(Tc) 39W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SQS405EN-T1_GE3
仓库库存编号:
SQS405EN-T1_GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 16A(Tc) 39W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SQS405ENW-T1_GE3
仓库库存编号:
SQS405ENW-T1_GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Tc) 19W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA413ADJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA413ADJ-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.4A(Ta) 660mW(Ta) 6-UDFN(1.6x1.6)
型号:
NTLUS3C18PZTAG
仓库库存编号:
NTLUS3C18PZTAG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.4A(Ta) 660mW(Ta) 6-UDFN(1.6x1.6)
型号:
NTLUS3C18PZTBG
仓库库存编号:
NTLUS3C18PZTBG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI5060
详细描述:表面贴装 P 沟道 80A(Tc) 3.2W PowerDI5060-8
型号:
DMPH1006UPSQ-13
仓库库存编号:
DMPH1006UPSQ-13-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 16A PPAK 1212-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 16A(Tc) 3.6W(Ta),33W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7405BDN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7405BDN-T1-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 25A(Tc) 7.1W(Tc) 8-SOIC
型号:
SQ4153EY-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ4153EY-T1_GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 20A TCPT3
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 20A(Ta) 20W(Tc) TCPT3
型号:
RZY200P01TL
仓库库存编号:
RZY200P01TLCT-ND
别名:RZY200P01TLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.3A 830mW Surface Mount 8-TSSOP
型号:
SI6975DQ-T1-GE3
仓库库存编号:
SI6975DQ-T1-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
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