产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 12V 1.8A PICOSTAR
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.8A(Ta) 500mW(Ta) 3-PICOSTAR
型号:
CSD23280F3T
仓库库存编号:
296-44150-1-ND
别名:296-44150-1
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 12V 10A UDFN6B
详细描述:表面贴装 P 沟道 10A(Ta) 1.25W(Ta) 6-UDFNB(2x2)
型号:
SSM6J512NU,LF
仓库库存编号:
SSM6J512NULFCT-ND
别名:SSM6J512NULFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 1.56W(Ta),2.8W(Tc) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SI1422DH-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1422DH-T1-GE3CT-ND
别名:SI1422DH-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6L
详细描述:表面贴装 P 沟道 9A(Tc) 2.4W(Ta),13W(Tc) PowerPAK? SC-75-6L 单
型号:
SIB441EDK-T1-GE3
仓库库存编号:
SIB441EDK-T1-GE3CT-ND
别名:SIB441EDK-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 12A SC-70-6L
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Tc) 19W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA447DJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA447DJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA447DJ-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 12V SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 5A(Tc) 2W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SQ2315ES-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ2315ES-T1_GE3CT-ND
别名:SQ2315ES-T1_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 2A 600mW Surface Mount TSMT6 (SC-95)
型号:
QS6J11TR
仓库库存编号:
QS6J11CT-ND
别名:QS6J11TRCT
QS6J11TRCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 8A(Tc) 2W(Ta),4.2W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3477DV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3477DV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3477DV-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 12V 2.5A SSOT-6
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 2.5A 700mW Surface Mount SuperSOT?-6
型号:
FDC6318P
仓库库存编号:
FDC6318PCT-ND
别名:FDC6318PCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 6A 1206-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 2.3W(Ta),5.7W(Tc) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5406CDC-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5406CDC-T1-GE3CT-ND
别名:SI5406CDC-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 12V 6DSBGA
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.5A(Ta) 1.9W(Ta) 6-DSBGA(1x1.5)
型号:
CSD13306WT
仓库库存编号:
296-41134-1-ND
别名:296-41134-1
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 6.7A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.7A(Ta) 52W(Ta) TO-252
型号:
FDD306P
仓库库存编号:
FDD306PCT-ND
别名:FDD306PCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 6-MLP 2X2
详细描述:表面贴装 P 沟道 10A(Ta) 2.4W(Ta) 6-MicroFET(2x2)
型号:
FDMA905P
仓库库存编号:
FDMA905PFSCT-ND
别名:FDMA905PFSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 5W(Ta),48W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7858BDP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7858BDP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7858BDP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 8.2A(Ta) 1.05W(Ta) 8-TSSOP
型号:
SI6423DQ-T1-E3
仓库库存编号:
SI6423DQ-T1-E3CT-ND
别名:SI6423DQ-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 35A(Tc) 3.8W(Ta),52W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7102DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7102DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7102DN-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 60A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR494DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR494DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR494DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7858ADP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7858ADP-T1-E3CT-ND
别名:SI7858ADP-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta) 1.6W(Ta) 8-SO
型号:
SI4866DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4866DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4866DY-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.3A(Ta) 800mW(Ta) TUMT3
型号:
RZF013P01TL
仓库库存编号:
RZF013P01TLCT-ND
别名:RZF013P01TLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 3A WEMT6
详细描述:表面贴装 P 沟道 3A(Ta) 700mW(Ta) 6-WEMT
型号:
RW1A030APT2CR
仓库库存编号:
RW1A030APT2CRCT-ND
别名:RW1A030APT2CRCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 12V 5.6A 1.4W Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
型号:
DMN1029UFDB-7
仓库库存编号:
DMN1029UFDB-7DICT-ND
别名:DMN1029UFDB-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 1.3A 1.25W Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
型号:
SI1965DH-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1965DH-T1-GE3CT-ND
别名:SI1965DH-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 2.5A TSMT3
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.5A(Ta) 1W(Ta) TSMT3
型号:
RZR025P01TL
仓库库存编号:
RZR025P01TLCT-ND
别名:RZR025P01TLCT
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 12V 22A 3PICOSTAR
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.5A(Ta) 500mW(Ta) 3-PICOSTAR
型号:
CSD23382F4T
仓库库存编号:
296-37874-1-ND
别名:296-37874-1
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
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