产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 16A MICROFOOT
详细描述:表面贴装 P 沟道 16A(Tc) 2.77W(Ta),13W(Tc) 6-Micro Foot?
型号:
SI8483DB-T2-E1
仓库库存编号:
SI8483DB-T2-E1CT-ND
别名:SI8483DB-T2-E1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 12V 3PICOSTAR
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.9A(Ta) 500mW(Ta) 3-PICOSTAR
型号:
CSD13383F4T
仓库库存编号:
296-38621-1-ND
别名:296-38621-1
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V MICROFOOT
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.1W(Ta),2.7W(Tc) 4-MICRO FOOT?(1.6x1.6)
型号:
SI8457DB-T1-E1
仓库库存编号:
SI8457DB-T1-E1CT-ND
别名:SI8457DB-T1-E1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.5A 6.5W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
型号:
SIA913ADJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA913ADJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA913ADJ-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 3A TUMT3
详细描述:表面贴装 P 沟道 3A(Ta) 800mW(Ta) TUMT3
型号:
RZF030P01TL
仓库库存编号:
RZF030P01TLCT-ND
别名:RZF030P01TLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 12V 6.6A 6-UFDFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 6.6A(Ta) 613mW(Ta) X1-DFN1616-6(E 类)
型号:
DMP1245UFCL-7
仓库库存编号:
DMP1245UFCL-7DICT-ND
别名:DMP1245UFCL-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 3.5A TUMT6
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.5A(Ta) 1W(Ta) TUMT6
型号:
RZL035P01TR
仓库库存编号:
RZL035P01CT-ND
别名:RZL035P01CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 12V 25A PPAK CHIPFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 25A(Tc) 3.1W(Ta),31W(Tc) PowerPAK? ChipFET 单通道
型号:
SI5411EDU-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5411EDU-T1-GE3CT-ND
别名:SI5411EDU-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.2A(Ta) 1W(Ta) 4-DSBGA(1x1)
型号:
CSD23202W10T
仓库库存编号:
296-38338-1-ND
别名:296-38338-1
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 2A SC70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Ta) 750mW(Ta) SC-70-6
型号:
FDG330P
仓库库存编号:
FDG330PCT-ND
别名:FDG330PCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.5A 1.5W Surface Mount TSMT8
型号:
QS8J1TR
仓库库存编号:
QS8J1CT-ND
别名:QS8J1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 4.2W(Ta),36W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR492DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR492DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR492DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 4.5A TSST8
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.5A(Ta) 650mW(Ta) 8-TSST
型号:
RT1A045APTCR
仓库库存编号:
RT1A045APTCRCT-ND
别名:RT1A045APTCRCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.5A(Ta) 1.25W(Ta) TSMT6(SC-95)
型号:
RZQ045P01TR
仓库库存编号:
RZQ045P01CT-ND
别名:RZQ045P01CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 12V 5A TSST8
详细描述:表面贴装 P 沟道 5A(Ta) 600mW(Ta) 8-TSST
型号:
RT1A050ZPTR
仓库库存编号:
RT1A050ZPCT-ND
别名:RT1A050ZPCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7858ADP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7858ADP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7858ADP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 500MA 0806
详细描述:表面贴装 N 沟道 12V 500mA(Tc) 1.25W(Ta) PowerPAK? 0806
型号:
SIUD412ED-T1-GE3
仓库库存编号:
SIUD412ED-T1-GE3CT-ND
别名:SIUD412ED-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
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Micro Commercial Co
MOSFET P-CH 12V 16A DFN202
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 16A(Ta) 2.5W(Ta), 18W(Tc) DFN2020-6J
型号:
MCM1216-TP
仓库库存编号:
MCM1216-TPMSCT-ND
别名:MCM1216-TPMSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 12V 14A UDFN6B
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 14A(Ta) 1.25W(Ta) 6-UDFNB(2x2)
型号:
SSM6J511NU,LF
仓库库存编号:
SSM6J511NULFCT-ND
别名:SSM6J511NULFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
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Texas Instruments
12V N-CHANNEL FEMTOFET MOSFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 12V 3.6A(Ta) 500mW(Ta) 3-PICOSTAR
型号:
CSD13380F3T
仓库库存编号:
296-45086-1-ND
别名:296-45086-1
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
X34 PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 5.4A(Ta) 500mW(Ta) UFM
型号:
SSM3J132TU,LF
仓库库存编号:
SSM3J132TULFCT-ND
别名:SSM3J132TULFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 12V 9A SC-75-6L
详细描述:表面贴装 N 沟道 12V 9A(Tc) 2.5W(Ta),13W(Tc)
型号:
SIB404DK-T1-GE3
仓库库存编号:
SIB404DK-T1-GE3CT-ND
别名:SIB404DK-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 12V 6WLCSP
详细描述:表面贴装 N 沟道 12V 7.3A(Ta) 556mW(Ta), 12.5W(Tc) 6-WLCSP(1.48x.98)
型号:
PMCM6501VNEZ
仓库库存编号:
1727-2688-1-ND
别名:1727-2688-1
568-13207-1
568-13207-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
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Texas Instruments
12V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE
详细描述:表面贴装 N 沟道 12V 4.3A(Ta) 500mW(Ta) 3-PICOSTAR
型号:
CSD13385F5T
仓库库存编号:
296-45087-1-ND
别名:296-45087-1
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 12V 3.3A U-WLB1010-4
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 3A(Ta),3.3A(Ta) 820mW(Ta) U-WLB1010-4
型号:
DMP1081UCB4-7
仓库库存编号:
DMP1081UCB4-7DICT-ND
别名:DMP1081UCB4-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 12V,
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