以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 12V 20A, 60A 27W, 48W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual Asymmetric
  
  型号：SQJ202EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ202EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ202EP-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 3A MCPH3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 1W（Ta） SC-70FL/MCPH3
  
  型号：MCH3374-TL-W
  仓库库存编号：MCH3374-TL-WOSCT-ND
  别名：MCH3374-TL-WOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 12V 4WLCSP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.4A（Ta） 556mW（Ta）, 12.5W（Tc） 6-WLCSP（1.48x.98）
  
  型号：PMCM650VNEZ
  仓库库存编号：1727-2275-1-ND
  别名：1727-2275-1
  568-12561-1
  568-12561-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 3.5A MCH3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.5A（Ta） 1W（Ta） SC-70FL/MCPH3
  
  型号：MCH3383-TL-H
  仓库库存编号：MCH3383-TL-HOSCT-ND
  别名：MCH3383-TL-HOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Panasonic Electronic Components
  MOSFET P-CH 12V 1.2A MINI-5P
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.2A（Ta） 600mW（Ta） 迷你型5-G1
  
  型号：XN0NE9200L
  仓库库存编号：XN0NE9200LCT-ND
  别名：XN0NE9200LCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET 8V 24V POWERDI5060-8
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 12V 9.5A, 6.9A 2.3W Surface Mount PowerDI5060-8
  
  型号：DMC1015UPD-13
  仓库库存编号：DMC1015UPD-13DICT-ND
  别名：DMC1015UPD-13DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Ta） 700mW（Ta） TSMT8
  
  型号：RQ1A060ZPTR
  仓库库存编号：RQ1A060ZPTRCT-ND
  别名：RQ1A060ZPTRCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2P-CH 12V 6.5A 8TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 6.5A 1.4W Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：AO8807
  仓库库存编号：785-1245-1-ND
  别名：785-1245-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 12V 0.5A X2DFN-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500mA（Ta） 360mW（Ta） X2-DFN0806-3
  
  型号：DMN1260UFA-7B
  仓库库存编号：DMN1260UFA-7BDICT-ND
  别名：DMN1260UFA-7BDICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 12V 0.2A X2DFN-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 200mA（Ta） 360mW（Ta） X2-DFN0806-3
  
  型号：DMP1555UFA-7B
  仓库库存编号：DMP1555UFA-7BDICT-ND
  别名：DMP1555UFA-7BDICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 12V 2A X2-DFN1010-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 480mW（Ta） X2-DFN1010-3
  
  型号：DMP1200UFR4-7
  仓库库存编号：DMP1200UFR4-7DICT-ND
  别名：DMP1200UFR4-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CHA 12V 2.5A WLB0808
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.5A（Ta） 670mW（Ta） X2-WLB0808-4
  
  型号：DMP1100UCB4-7
  仓库库存编号：DMP1100UCB4-7DICT-ND
  别名：DMP1100UCB4-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 6A SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Tc） 1.2W（Ta），1.7W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2333DDS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2333DDS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2333DDS-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.3A（Ta） 700mW（Ta） 6-WEMT
  
  型号：ES6U1T2R
  仓库库存编号：ES6U1T2RCT-ND
  别名：ES6U1T2RCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.3A（Ta） 680mW（Ta） SC-59
  
  型号：DMN1019USN-7
  仓库库存编号：DMN1019USN-7DICT-ND
  别名：DMN1019USN-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 6A TSST8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Ta） 600mW（Ta） 8-TSST
  
  型号：RT1A060APTR
  仓库库存编号：RT1A060APCT-ND
  别名：RT1A060APTRCT
  RT1A060APTRCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSST8
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 3.5A 650mW Surface Mount 8-TSST
  
  型号：TT8J11TCR
  仓库库存编号：TT8J11TCRCT-ND
  别名：TT8J11TCRCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V SC-89
  详细描述：表面贴装 P 沟道 190mW（Ta） SC-89-3
  
  型号：SI1011X-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1011X-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1011X-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 12V 2.6A 4-UFCSP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.6A（Ta） 820mW（Ta） U-WLB1010-4
  
  型号：DMP1096UCB4-7
  仓库库存编号：DMP1096UCB4-7DICT-ND
  别名：DMP1096UCB4-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Texas Instruments
  12V P-CHANNEL FEMTOFET MOSFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.4A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
  
  型号：CSD23285F5T
  仓库库存编号：296-44809-1-ND
  别名：296-44809-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CHA 12V 2A DFN1310
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 12V 2A 390mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：DMN1150UFL3-7
  仓库库存编号：DMN1150UFL3-7DICT-ND
  别名：DMN1150UFL3-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V MICROFOOT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500mW（Ta） 4-Microfoot
  
  型号：SI8806DB-T2-E1
  仓库库存编号：SI8806DB-T2-E1CT-ND
  别名：SI8806DB-T2-E1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSMT8
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 3.5A 550mW Surface Mount TSMT8
  
  型号：QS8J11TCR
  仓库库存编号：QS8J11TCRCT-ND
  别名：QS8J11TCRCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Panasonic Electronic Components
  MOSFET P-CH 12V 4A WSMINI6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 700mW（Ta） WS迷你型6-F1-B
  
  型号：MTM761100LBF
  仓库库存编号：MTM761100LBFCT-ND
  别名：MTM761100LBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Panasonic Electronic Components
  MOSFET P-CH 12V 4A WSMINI6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 700mW（Ta） WS迷你型6-F1-B
  
  型号：FJ6K01010L
  仓库库存编号：FJ6K01010LCT-ND
  别名：FJ6K01010LCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
• 无铅
• 搜索