以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.7A（Ta） 1.73W（Ta） TSOT-26
  
  型号：DMN1019UVT-7
  仓库库存编号：DMN1019UVT-7DICT-ND
  别名：DMN1019UVT-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.5A（Ta） 1W（Ta） TUMT6
  
  型号：RZL025P01TR
  仓库库存编号：RZL025P01CT-ND
  别名：RZL025P01CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 1.3A 320mW Surface Mount UMT6
  
  型号：US6J11TR
  仓库库存编号：US6J11CT-ND
  别名：US6J11CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 7.8A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.8A（Tc） 2W（Ta），3W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3447CDV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3447CDV-T1-GE3CT-ND
  别名：SI3447CDV-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 4A TSST8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 1.25W（Ta） 8-TSST
  
  型号：RT1A040ZPTR
  仓库库存编号：RT1A040ZPCT-ND
  别名：RT1A040ZPCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8 PPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS452DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS452DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS452DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.3A（Ta） 1.3W（Ta） Micro3?/SOT-23
  
  型号：IRLML6401GTRPBF
  仓库库存编号：IRLML6401GTRPBFCT-ND
  别名：IRLML6401GTRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 12V 16A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 16A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7410TRPBF
  仓库库存编号：IRF7410TRPBFCT-ND
  别名：IRF7410TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9.1A（Ta） 660mW（Ta） U-DFN2020-6（E 类）
  
  型号：DMP1022UFDE-7
  仓库库存编号：DMP1022UFDE-7DICT-ND
  别名：DMP1022UFDE-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 12V 76A 6SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta） 2.7W（Ta） 6-WSON（2x2）
  
  型号：CSD13202Q2
  仓库库存编号：296-38911-1-ND
  别名：296-38911-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 12V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
  
  型号：SIA533EDJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA533EDJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA533EDJ-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Tc） 2W（Ta），4.2W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3473CDV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3473CDV-T1-GE3CT-ND
  别名：SI3473CDV-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 34A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Tc） 2.5W（Ta），5.7W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4838BDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4838BDY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4838BDY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 80A POWER33
  详细描述：表面贴装 P 沟道 80A（Tc） 2.4W（Ta），48W（Tc） Power33
  
  型号：FDMC610P
  仓库库存编号：FDMC610PCT-ND
  别名：FDMC610PCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 17A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4838DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4838DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4838DY-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 12V 5.5A DFN2015-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.5A（Ta） 700mW（Ta）
  
  型号：DMP1045UFY4-7
  仓库库存编号：DMP1045UFY4-7DICT-ND
  别名：DMP1045UFY4-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 12V 0.7A SC70-6
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 700mA 300mW Surface Mount SC-70-6
  
  型号：FDG6316P
  仓库库存编号：FDG6316PCT-ND
  别名：FDG6316PCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.1A（Tc） 1.25W（Ta），2.5W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2333CDS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2333CDS-T1-GE3CT-ND
  别名：SI2333CDS-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 12A 6QFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Ta） 2.4W（Ta） 6-MicroFET（2x2）
  
  型号：FDMA908PZ
  仓库库存编号：FDMA908PZCT-ND
  别名：FDMA908PZCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 12V 4.5A 6.5W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
  
  型号：SIA517DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA517DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA517DJ-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4A（Ta） 1W（Ta） TSMT3
  
  型号：RZR040P01TL
  仓库库存编号：RZR040P01TLCT-ND
  别名：RZR040P01TLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 12V 8.2A 6DFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8.2A（Ta） 1.7W（Ta），12.5W（Tc） 6-DFN2020MD（2x2）
  
  型号：PMPB15XP,115
  仓库库存编号：1727-1246-1-ND
  别名：1727-1246-1
  568-10453-1
  568-10453-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Tc） 2.3W（Ta），5.7W（Tc） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5475DDC-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5475DDC-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5475DDC-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Ta） 500mW（Ta） X2-DFN1010-3
  
  型号：DMN1045UFR4-7
  仓库库存编号：DMN1045UFR4-7DICT-ND
  别名：DMN1045UFR4-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 4.5A SC-70-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA406DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA406DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA406DJ-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 12V,
• 无铅
• 搜索