产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 90V,
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 90V 350MA 3TO-39
详细描述：通孔 N 沟道 350mA（Tj） 6.25W（Tc） TO-39
型号：
2N6661
仓库库存编号：
2N6661MC-ND
别名：2N6661MC
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 90V,
含铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 90V 0.2A SOT23-5
详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Tj） 490mW（Ta） SOT-23-5
型号：
DN1509K1-G
仓库库存编号：
DN1509K1-GCT-ND
别名：DN1509K1-GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 90V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 90V 0.35A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 350mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
VN0109N3-G
仓库库存编号：
VN0109N3-G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 90V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET P-CH 90V 0.25A TO92-3
详细描述：通孔 P 沟道 250mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
型号：
VP0109N3-G
仓库库存编号：
VP0109N3-G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 90V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 90V 360MA SOT89-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 360mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
型号：
DN1509N8-G
仓库库存编号：
DN1509N8-GCT-ND
别名：DN1509N8-GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 90V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 90V 38A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 8.7A（Ta），41A（Tc） 3.8W（Ta），83W（Tc） DPAK
型号：
NVD6828NLT4G-VF01
仓库库存编号：
NVD6828NLT4G-VF01-ND
别名：NVD5890NT4G-VF01
NVD6828NLT4G
NVD6828NLT4G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 90V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 90V 50A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 90V 10A（Ta），50A（Tc） 4W（Ta），100W（Tc） DPAK
型号：
NVD6820NLT4G-VF01
仓库库存编号：
NVD6820NLT4G-VF01-ND
别名：NVD4806NT4G-VF01
NVD6820NLT4G
NVD6820NLT4G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 90V,
无铅
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TT Electronics/Optek Technology
MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A SMD
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 90V 2A, 1.1A 500mW Surface Mount 6-SMD
型号：
HCT802
仓库库存编号：
HCT802-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 90V,
含铅
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TT Electronics/Optek Technology
MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A SMD
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 90V 2A, 1.1A 500mW Surface Mount 6-SMD
型号：
HCT802TXV
仓库库存编号：
HCT802TXV-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 90V,
含铅
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TT Electronics/Optek Technology
MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A SMD
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 90V 2A, 1.1A 500mW Surface Mount 6-SMD
型号：
HCT802TX
仓库库存编号：
HCT802TX-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 90V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 90V 2A TO-92
详细描述：通孔 N 沟道 90V 2A（Ta） 1W（Ta） TO-92-3
型号：
MPF990
仓库库存编号：
MPF990OS-ND
别名：MPF990OS
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 90V,
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 90V 0.01A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 90V 10mA（Ta） 625mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
型号：
ZVN1409ASTOA
仓库库存编号：
ZVN1409ASTOA-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 90V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 90V 0.01A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 90V 10mA（Ta） 625mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
型号：
ZVN1409ASTOB
仓库库存编号：
ZVN1409ASTOB-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 90V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 90V 0.01A TO92-3
详细描述：通孔 N 沟道 90V 10mA（Ta） 625mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）
型号：
ZVN1409ASTZ
仓库库存编号：
ZVN1409ASTZ-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 90V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
详细描述：通孔 N 沟道 90V 860mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-39
型号：
2N6661
仓库库存编号：
2N6661-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 90V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
详细描述：通孔 N 沟道 90V 860mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-39
型号：
2N6661-2
仓库库存编号：
2N6661-2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 90V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
详细描述：通孔 N 沟道 90V 860mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-39
型号：
2N6661-E3
仓库库存编号：
2N6661-E3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 90V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
详细描述：通孔 N 沟道 90V 860mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-39
型号：
2N6661JAN02
仓库库存编号：
2N6661JAN02-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 90V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
详细描述：通孔 N 沟道 90V 860mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-39
型号：
2N6661JTVP02
仓库库存编号：
2N6661JTVP02-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 90V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
详细描述：通孔 N 沟道 90V 860mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-39
型号：
2N6661JTX02
仓库库存编号：
2N6661JTX02-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 90V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
详细描述：通孔 N 沟道 90V 860mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-39
型号：
2N6661JTXL02
仓库库存编号：
2N6661JTXL02-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 90V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
详细描述：通孔 N 沟道 90V 860mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-39
型号：
2N6661JTXP02
仓库库存编号：
2N6661JTXP02-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 90V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
详细描述：通孔 N 沟道 90V 860mA（Tc） 725mW（Ta），6.25W（Tc） TO-39
型号：
2N6661JTXV02
仓库库存编号：
2N6661JTXV02-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 90V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel 90V 400mA 2W Through Hole 14-DIP
型号：
VQ1006P
仓库库存编号：
VQ1006P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 90V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel 90V 400mA 2W Through Hole 14-DIP
型号：
VQ1006P-2
仓库库存编号：
VQ1006P-2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 90V,
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