产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 25V,
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 100A（Ta） 3.2W（Ta），195W（Tc） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD16570Q5B
仓库库存编号：
CSD16570Q5B-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 25V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 60A POLARPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
型号：
SIE882DF-T1-GE3
仓库库存编号：
SIE882DF-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET NCH 25V 20A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），40A（Tc） 3.7W（Ta），42W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
FDD6796A
仓库库存编号：
FDD6796ACT-ND
别名：FDD6796ACT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO
型号：
SI4632DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4632DY-T1-E3TR-ND
别名：SI4632DY-T1-E3TR
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO
型号：
SI4632DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4632DY-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SI7194DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SI7194DP-T1-GE3CT-ND
别名：SI7194DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 25V,
无铅
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Texas Instruments
N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.1W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
型号：
CSD16401Q5T
仓库库存编号：
CSD16401Q5T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 25V,
无铅
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Texas Instruments
N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.2W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
型号：
CSD16415Q5T
仓库库存编号：
CSD16415Q5T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 37A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 37A（Ta），193A（Tc） 3.13W（Ta）, 83W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4H02NT3G
仓库库存编号：
NTMFS4H02NT3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 37A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 37A（Ta），193A（Tc） 3.13W（Ta）, 83W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4H02NFT3G
仓库库存编号：
NTMFS4H02NFT3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 37A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 37A（Ta），193A（Tc） 3.13W（Ta）, 83W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4H02NT1G
仓库库存编号：
NTMFS4H02NT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 37A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 37A（Ta），193A（Tc） 3.13W（Ta）, 83W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4H02NFT1G
仓库库存编号：
NTMFS4H02NFT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 35A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Ta），269A（Tc） 2.7W（Ta）, 104W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4H013NFT3G
仓库库存编号：
NTMFS4H013NFT3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 35A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Ta），269A（Tc） 2.7W（Ta）, 104W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4H013NFT1G
仓库库存编号：
NTMFS4H013NFT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 54A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 54A（Ta），334A（Tc） 3.2W（Ta），125W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4H01NT3G
仓库库存编号：
NTMFS4H01NT3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 54A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 54A（Ta），334A（Tc） 3.2W（Ta），125W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4H01NFT3G
仓库库存编号：
NTMFS4H01NFT3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 54A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 54A（Ta），334A（Tc） 3.2W（Ta），125W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4H01NT1G
仓库库存编号：
NTMFS4H01NT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 25V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 54A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 54A（Ta），334A（Tc） 3.2W（Ta），125W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4H01NFT1G
仓库库存编号：
NTMFS4H01NFT1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 4N-CH 25V 16A/20A 41PQFN
详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel 25V 16A (Tc), 20A (Tc) Surface Mount 41-PQFN (6x8)
型号：
IRF3546MTRPBF
仓库库存编号：
IRF3546MTRPBFCT-ND
别名：IRF3546MTRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 25V,
无铅
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NXP USA Inc.
JFET N-CH 25V 250MW SOT23
详细描述：JFET N-Channel 25V 250mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)
型号：
PMBFJ308,215
仓库库存编号：
PMBFJ308,215-ND
别名：934008980215
PMBFJ308 T/R
PMBFJ308 T/R-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 25V,
无铅
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NXP USA Inc.
JFET N-CH 10MA 250MW SOT23
详细描述：JFET N-Channel 10mA 250mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)
型号：
BFT46,215
仓库库存编号：
568-8482-1-ND
别名：568-8482-1
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 19A 8PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 19A（Ta） 2.8W（Ta），34W（Tc） 8-PQFN（3.3x3.3），Power33
型号：
IRFHM8228TRPBF
仓库库存编号：
IRFHM8228TRPBFTR-ND
别名：IRFHM8228TRPBFTR
SP001556578
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 22A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 22A（Ta），84A（Tc） 2.8W（Ta），78W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC032NE2LSATMA1
仓库库存编号：
BSC032NE2LSATMA1CT-ND
别名：BSC032NE2LSCT
BSC032NE2LSCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 22A 2WDSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 22A（Ta），69A（Tc） 2.2W（Ta），28W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
型号：
BSF035NE2LQXUMA1
仓库库存编号：
BSF035NE2LQXUMA1-ND
别名：SP001034234
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 18A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 18A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），30W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
型号：
BSZ033NE2LS5ATMA1
仓库库存编号：
BSZ033NE2LS5ATMA1-ND
别名：SP001288158
产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 25V,
无铅
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