产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS06N03LZ G
仓库库存编号:
IPS06N03LZ G-ND
别名:IPS06N03LZGX
SP000016328
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 50A(Tc) 63W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS09N03LA G
仓库库存编号:
IPS09N03LA G-ND
别名:IPS09N03LAGX
SP000015131
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS10N03LA G
仓库库存编号:
IPS10N03LA G-ND
别名:IPS10N03LAGX
SP000015132
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 25V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 30A(Tc) 46W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS13N03LA G
仓库库存编号:
IPS13N03LA G-ND
别名:IPS13N03LAGX
SP000015133
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 90A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 90A(Tc) 94W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPSH4N03LA G
仓库库存编号:
IPSH4N03LA G-ND
别名:IPSH4N03LAGX
SP000016331
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 50A(Tc) 83W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPSH5N03LA G
仓库库存编号:
IPSH5N03LA G-ND
别名:IPSH5N03LAGX
SP000064378
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 50A(Tc) 71W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPSH6N03LA G
仓库库存编号:
IPSH6N03LA G-ND
别名:IPSH6N03LAGX
SP000075257
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 50A(Tc) 115W(Tc) P-TO251-3
型号:
IPU04N03LA
仓库库存编号:
IPU04N03LA-ND
别名:SP000014621
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 50A(Tc) 115W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU04N03LA G
仓库库存编号:
IPU04N03LA G-ND
别名:IPU04N03LAGX
SP000017593
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 50A(Tc) 94W(Tc) P-TO251-3
型号:
IPU05N03LA
仓库库存编号:
IPU05N03LA-ND
别名:SP000014903
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 50A(Tc) 94W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU05N03LA G
仓库库存编号:
IPU05N03LA G-ND
别名:IPU05N03LAGX
SP000017595
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) P-TO251-3
型号:
IPU10N03LA
仓库库存编号:
IPU10N03LA-ND
别名:SP000014984
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 30A(Tc) 52W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU10N03LA G
仓库库存编号:
IPU10N03LA G-ND
别名:IPU10N03LAGX
SP000017597
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 25V 50A(Tc) 71W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPUH6N03LA G
仓库库存编号:
IPUH6N03LA G-ND
别名:IPUH6N03LAGX
SP000068594
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 30A(Ta),100A(Tc) 2.8W(Ta),104W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC020N025S G
仓库库存编号:
BSC020N025SGINCT-ND
别名:BSC020N025SG
BSC020N025SGINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 24A(Ta),100A(Tc) 2.8W(Ta),78W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC029N025S G
仓库库存编号:
BSC029N025SGINCT-ND
别名:BSC029N025SG
BSC029N025SGINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 89A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 19A(Ta),89A(Tc) 2.8W(Ta),63W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC048N025S G
仓库库存编号:
BSC048N025SGINCT-ND
别名:BSC048N025SG
BSC048N025SGINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB03N03LA G
仓库库存编号:
IPB03N03LAGINCT-ND
别名:IPB03N03LAG
IPB03N03LAGINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB04N03LA G
仓库库存编号:
IPB04N03LAGINCT-ND
别名:IPB04N03LAG
IPB04N03LAGINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 50A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) 71W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPBH6N03LA G
仓库库存编号:
IPBH6N03LAGINCT-ND
别名:IPBH6N03LAG
IPBH6N03LAGINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 15A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 15A(Ta),59A(Tc) 2.2W(Ta),34W(Tc) DIRECTFET? SQ
型号:
IRF6622TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6622TR1PBFCT-ND
别名:IRF6622TR1PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 25V,
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 66A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 66A(Tc) 62.5W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PH9025L,115
仓库库存编号:
PH9025L,115-ND
别名:934061158115
PH9025L T/R
PH9025L T/R-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 12A(Ta),37A(Tc) 1.8W(Ta),15W(Tc) DIRECTFET S1
型号:
IRF6710S2TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6710S2TR1PBFCT-ND
别名:IRF6710S2TR1PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 17A(Ta),68A(Tc) 2.2W(Ta),36W(Tc) DIRECTFET? SQ
型号:
IRF6712STR1PBF
仓库库存编号:
IRF6712STR1PBFCT-ND
别名:IRF6712STR1PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 29A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 29A(Ta),166A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET? MX
型号:
IRF6714MTR1PBF
仓库库存编号:
IRF6714MTR1PBFCT-ND
别名:IRF6714MTR1PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 25V,
无铅
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