产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 25V,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 70W(Tc) I-Pak
型号:
STU95N2LH5
仓库库存编号:
497-12703-5-ND
别名:497-12703-5
STU95N2LH5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 25V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V .04A CPH3
详细描述:JFET N-Channel 20mA @ 5V 400mW Surface Mount 3-CPH
型号:
CPH3910-TL-E
仓库库存编号:
CPH3910-TL-EOSCT-ND
别名:CPH3910-TL-EOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 25V,
无铅
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NXP USA Inc.
JFET N-CH 25V 250MW SOT23
详细描述:JFET N-Channel 40mA @ 15V 250mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB)
型号:
PMBFJ109,215
仓库库存编号:
568-2079-1-ND
别名:568-2079-1
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 25V,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 25V 8PDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 2.2W(Ta) 8-PDFN(5x6)
型号:
MCP87050T-U/MF
仓库库存编号:
MCP87050T-U/MFCT-ND
别名:MCP87050T-U/MFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 3.9W(Ta),15.6W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR412DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR412DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR412DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 30A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 4.8W(Ta),41.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR850DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR850DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR850DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 8A 2.8W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4670DY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4670DY-T1-E3CT-ND
别名:SI4670DY-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 30A 8-PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Ta),70A(Tc) 2.5W(Ta),65W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS8560S
仓库库存编号:
FDMS8560SCT-ND
别名:FDMS8560SCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 25V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 5W(Ta),50W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR844DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR844DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR844DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 25V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 24A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Ta),50A(Tc) 3.7W(Ta),65W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD6770A
仓库库存编号:
FDD6770ACT-ND
别名:FDD6770ACT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 25V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 5X6 100A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Ta),100A(Tc) 3.1W(Ta) 8-VSON-CLIP(5x6)
型号:
CSD16325Q5
仓库库存编号:
296-24964-1-ND
别名:296-24964-1
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 25V,
含铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 34A(Ta),100A(Tc) 3.2W(Ta) 8-VSON-CLIP(5x6)
型号:
CSD16414Q5
仓库库存编号:
296-24257-1-ND
别名:296-24257-1
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 25V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 25V 8PWRCLIP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 20A, 41A 2.1W, 2.3W Surface Mount Power Clip 56
型号:
FDPC8014S
仓库库存编号:
FDPC8014SCT-ND
别名:FDPC8014SCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 25V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
PSMN6R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
详细描述:表面贴装 N 沟道 61A(Tc) 43W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN6R0-25YLDX
仓库库存编号:
1727-2500-1-ND
别名:1727-2500-1
568-12932-1
568-12932-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 25V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33
详细描述:表面贴装 N 沟道 70A(Tc) 69W(Tc) LFPAK33
型号:
PSMN3R9-25MLC,115
仓库库存编号:
1727-7142-1-ND
别名:1727-7142-1
568-9575-1
568-9575-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 25V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
PSMN5R3-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q
详细描述:表面贴装 N 沟道 70A(Tc) 51W(Tc) LFPAK33
型号:
PSMN5R3-25MLDX
仓库库存编号:
1727-2503-1-ND
别名:1727-2503-1
568-12935-1
568-12935-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 25V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
PSMN3R5-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q
详细描述:表面贴装 N 沟道 70A(Tc) 65W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN3R5-25MLDX
仓库库存编号:
1727-2502-1-ND
别名:1727-2502-1
568-12934-1
568-12934-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 25V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 84A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 84A(Tc) 61W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN4R0-25YLC,115
仓库库存编号:
1727-5303-1-ND
别名:1727-5303-1
568-6736-1
568-6736-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 25V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
PSMN2R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 115W (Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN2R0-25YLDX
仓库库存编号:
1727-2498-1-ND
别名:1727-2498-1
568-12930-1
568-12930-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 25V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
PSMN1R7-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 135W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN1R7-25YLDX
仓库库存编号:
1727-2497-1-ND
别名:1727-2497-1
568-12929-1
568-12929-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 46W(Tc) P-TO252-3
型号:
IPF13N03LA G
仓库库存编号:
IPF13N03LAGINCT-ND
别名:IPF13N03LAG
IPF13N03LAGINCT
IPF13N03LAINCT
IPF13N03LAINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 25V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 24A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 24A(Ta),82A(Tc) 2.5W(Ta),29W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC026NE2LS5ATMA1
仓库库存编号:
BSC026NE2LS5ATMA1CT-ND
别名:BSC026NE2LS5ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB04N03LAT
仓库库存编号:
IPB04N03LAXTINCT-ND
别名:IPB04N03LAXTINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 25V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB04N03LA
仓库库存编号:
IPB04N03LAINCT-ND
别名:IPB04N03LAINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 25V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET-S1
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta),63A(Tc) 1.8W(Ta),26W(Tc) DIRECTFET S1
型号:
IRF6706S2TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6706S2TR1PBFCT-ND
别名:IRF6706S2TR1PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 25V,
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