产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 55V,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 100A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 100A(Tc) 1.8W(Ta),176W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
NP100N055PUK-E1-AY
仓库库存编号:
NP100N055PUK-E1-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 110A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 110A(Tc) 1.8W(Ta),250W(Tc) TO-263
型号:
NP109N055PUK-E1-AY
仓库库存编号:
NP109N055PUK-E1-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 110A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 110A(Tc) 1.8W(Ta),288W(Tc) TO-263
型号:
NP110N055PUG-E1-AY
仓库库存编号:
NP110N055PUG-E1-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 110A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 110A(Tc) 1.8W(Ta),348W(Tc) TO-263
型号:
NP110N055PUK-E1-AY
仓库库存编号:
NP110N055PUK-E1-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 160A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 160A(Tc) 1.8W(Ta),250W(Tc) TO-263-7
型号:
NP160N055TUK-E1-AY
仓库库存编号:
NP160N055TUK-E1-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 180A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 180A(Tc) 1.8W(Ta),348W(Tc) TO-263-7
型号:
NP180N055TUK-E1-AY
仓库库存编号:
NP180N055TUK-E1-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 60A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 60A(Tc) 1.8W(Ta),105W(Tc) TO-220
型号:
NP60N055MUK-S18-AY
仓库库存编号:
NP60N055MUK-S18-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 60A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 60A(Tc) 1.8W(Ta),105W(Tc) TO-262
型号:
NP60N055NUK-S18-AY
仓库库存编号:
NP60N055NUK-S18-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 60A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 60A(Tc) 1.2W(Ta),105W(Tc) TO-252-3
型号:
NP60N055VUK-E1-AY
仓库库存编号:
NP60N055VUK-E1-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 90A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 90A(Tc) 1.8W(Ta),147W(Tc) TO-220-3
型号:
NP89N055MUK-S18-AY
仓库库存编号:
NP89N055MUK-S18-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 90A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 90A(Tc) 1.8W(Ta),147W(Tc) TO-262
型号:
NP89N055NUK-S18-AY
仓库库存编号:
NP89N055NUK-S18-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 90A TO-220
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 90A(Tc) 1.8W(Ta),147W(Tc) TO-263-3
型号:
NP89N055PUK-E1-AY
仓库库存编号:
NP89N055PUK-E1-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 90A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 90A(Tc) 1.8W(Ta),176W(Tc) TO-220-3
型号:
NP90N055MUK-S18-AY
仓库库存编号:
NP90N055MUK-S18-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 90A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 90A(Tc) 1.8W(Ta),176W(Tc) TO-262-3
型号:
NP90N055NUK-S18-AY
仓库库存编号:
NP90N055NUK-S18-AY-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 5A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 5A(Ta) 1.8W(Ta) SOT-223
型号:
BUK9840-55,115
仓库库存编号:
568-11115-1-ND
别名:568-11115-1
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 5A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 5A(Ta) 1.8W(Ta) SOT-223
型号:
BUK9840-55,115
仓库库存编号:
568-11115-6-ND
别名:568-11115-6
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
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NXP USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 5.5A(Tc) 8.3W(Tc) SOT-223
型号:
BUK98150-55,135
仓库库存编号:
568-12235-1-ND
别名:568-11891-1
568-11891-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 55V 7.5A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 7.5A(Tc) 8.3W(Tc) SOT-223
型号:
BUK9880-55,135
仓库库存编号:
568-12236-1-ND
别名:568-11880-1
568-11880-1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 53A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 55V 53A(Tc) 120W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP044N
仓库库存编号:
IRFP044N-ND
别名:*IRFP044N
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 55V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 81A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 55V 81A(Tc) 170W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP054N
仓库库存编号:
IRFP054N-ND
别名:*IRFP054N
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 55V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 44A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 44A(Tc) 107W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR1205
仓库库存编号:
IRFR1205-ND
别名:*IRFR1205
SP001578028
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 55V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 27A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 27A(Tc) 68W(Tc) D-Pak
型号:
94-4762
仓库库存编号:
94-4762-ND
别名:*IRFR4105
IRFR4105
IRFR4105-ND
SP001516332
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 55V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 3.7A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRFL4105TR
仓库库存编号:
IRFL4105CT-ND
别名:*IRFL4105TR
IRFL4105CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 55V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 3.8A(Ta) 1W(Ta) SOT-223
型号:
IRLL2705TR
仓库库存编号:
IRLL2705CT-ND
别名:*IRLL2705TR
IRLL2705CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 55V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 33A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 55V 33A(Tc) 45W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFIZ46N
仓库库存编号:
IRFIZ46N-ND
别名:*IRFIZ46N
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 55V,
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