产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 55V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(1084)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
(33)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(1044)
晶体管 - JFET
(7)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (2)
Diodes Incorporated (1)
Honeywell Microelectronics & Precision Sensors (4)
Infineon Technologies (609)
IXYS (70)
Nexperia USA Inc. (112)
NXP USA Inc. (87)
Fairchild/ON Semiconductor (98)
Panasonic Electronic Components (7)
Renesas Electronics America (32)
Sanken (1)
STMicroelectronics (46)
Vishay Siliconix (15)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 17A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ24NSTRL
仓库库存编号:
IRFZ24NSTRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 55V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 17A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ24NSTRR
仓库库存编号:
IRFZ24NSTRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 55V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 49A(Tc) 3.8W(Ta),94W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ44NSTRR
仓库库存编号:
IRFZ44NSTRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 55V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 53A(Tc) 3.8W(Ta),107W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ46NSTRL
仓库库存编号:
IRFZ46NSTRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 55V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 104A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRL2505STRL
仓库库存编号:
IRL2505STRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 55V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 104A(Tc) 3.8W(Ta),200W(Tc) D2PAK
型号:
IRL2505STRR
仓库库存编号:
IRL2505STRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 55V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 89A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 89A(Tc) 3.8W(Ta),170W(Tc) D2PAK
型号:
IRL3705NSTRR
仓库库存编号:
IRL3705NSTRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 55V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 10A(Tc) 28W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR014NTRL
仓库库存编号:
IRLR014NTRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 55V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 10A(Tc) 28W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR014NTR
仓库库存编号:
IRLR014NTR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 55V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 10A(Tc) 28W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR014NTRR
仓库库存编号:
IRLR014NTRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 55V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 17A(Tc) 45W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR024NTRL
仓库库存编号:
IRLR024NTRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 55V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 17A(Tc) 45W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR024NTRR
仓库库存编号:
IRLR024NTRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 55V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 28A(Tc) 68W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR2705TRL
仓库库存编号:
IRLR2705TRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 55V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 28A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 28A(Tc) 68W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR2705TR
仓库库存编号:
IRLR2705TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 55V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 42A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR2905TRL
仓库库存编号:
IRLR2905TRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 55V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 42A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRLR2905TRR
仓库库存编号:
IRLR2905TRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 55V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 18A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) D2PAK
型号:
IRLZ24NSTRL
仓库库存编号:
IRLZ24NSTRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 55V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 18A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) D2PAK
型号:
IRLZ24NSTRR
仓库库存编号:
IRLZ24NSTRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 55V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 10A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 10A(Tc) 28W(Tc) I-Pak
型号:
IRLU014N
仓库库存编号:
IRLU014N-ND
别名:*IRLU014N
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 55V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 56A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 56A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR2405TRL
仓库库存编号:
IRFR2405TRL-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 55V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 56A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 56A(Tc) 110W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR2405TRR
仓库库存编号:
IRFR2405TRR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 55V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 174A SUPER-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 174A(Tc) 330W(Tc) SUPER-220?(TO-273AA)
型号:
IRFBA1405P
仓库库存编号:
IRFBA1405P-ND
别名:*IRFBA1405P
Q1429145
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 55V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 540mA(Ta) 360mW(Ta) PG-SOT23-3
型号:
BSS670S2L
仓库库存编号:
BSS670S2LINCT-ND
别名:BSS670S2LINCT
BSS670S2LXTINCT
BSS670S2LXTINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 55V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 55V 75A(Tc) 230W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF1405Z
仓库库存编号:
IRF1405Z-ND
别名:*IRF1405Z
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 55V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 75A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 75A(Tc) 230W(Tc) TO-262
型号:
IRF1405ZL
仓库库存编号:
IRF1405ZL-ND
别名:*IRF1405ZL
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 55V,
含铅
搜索
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号