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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB100N06S2L-05
  仓库库存编号：SPB100N06S2L-05-ND
  别名：SP000013714
  SPB100N06S2L05T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 55V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 158W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB77N06S2-12
  仓库库存编号：SPB77N06S2-12-ND
  别名：SP000013587
  SPB77N06S212T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 55V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N06S08ATMA1
  仓库库存编号：SPB80N06S08ATMA1TR-ND
  别名：SP000054056
  SP000084808
  SPB80N06S-08
  SPB80N06S-08-ND
  SPB80N06S08
  SPB80N06S08T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 55V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N06S2-05
  仓库库存编号：SPB80N06S2-05-ND
  别名：SP000016351
  SPB80N06S205T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 55V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N06S2-07
  仓库库存编号：SPB80N06S2-07-ND
  别名：SP000013578
  SPB80N06S207T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 55V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 215W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N06S2-08
  仓库库存编号：SPB80N06S2-08-ND
  别名：SP000016356
  SPB80N06S208T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 55V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N06S2-09
  仓库库存编号：SPB80N06S2-09-ND
  别名：SP000013581
  SPB80N06S209T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 55V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N06S2-H5
  仓库库存编号：SPB80N06S2-H5-ND
  别名：SP000013795
  SPB80N06S2H5T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 55V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N06S2L-05
  仓库库存编号：SPB80N06S2L-05-ND
  别名：SP000016352
  SPB80N06S2L05T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 55V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N06S2L-06
  仓库库存编号：SPB80N06S2L-06-ND
  别名：SP000013577
  SPB80N06S2L06T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 55V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 210W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N06S2L-07
  仓库库存编号：SPB80N06S2L-07-ND
  别名：SP000016357
  SPB80N06S2L07T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 55V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N06S2L-09
  仓库库存编号：SPB80N06S2L-09-ND
  别名：SP000013582
  SPB80N06S2L09T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 55V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 158W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N06S2L-11
  仓库库存编号：SPB80N06S2L-11-ND
  别名：SP000013586
  SPB80N06S2L11T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 55V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB80N06S2L-H5
  仓库库存编号：SPB80N06S2L-H5-ND
  别名：SP000013796
  SPB80N06S2LH5T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 55V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 17A（Tc） 30W（Tc） P-TO252-3
  
  型号：SPD14N06S2-80
  仓库库存编号：SPD14N06S2-80-ND
  别名：SP000013575
  SPD14N06S280T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 55V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 19A（Tc） 47W（Tc） P-TO252-3
  
  型号：SPD15N06S2L-64
  仓库库存编号：SPD15N06S2L-64-ND
  别名：SP000013573
  SPD15N06S2L64T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 55V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 29A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 29A（Tc） 68W（Tc） P-TO252-3
  
  型号：SPD25N06S2-40
  仓库库存编号：SPD25N06S2-40-ND
  别名：SP000013572
  SPD25N06S240T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 55V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 68W（Tc） P-TO252-3
  
  型号：SPD26N06S2L-35
  仓库库存编号：SPD26N06S2L-35-ND
  别名：SP000013570
  SPD26N06S2L35T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 55V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 136W（Tc） P-TO252-3
  
  型号：SPD30N06S2-15
  仓库库存编号：SPD30N06S2-15-ND
  别名：SP000012477
  SPD30N06S215T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 55V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） P-TO252-3
  
  型号：SPD30N06S2-23
  仓库库存编号：SPD30N06S2-23-ND
  别名：SP000013596
  SPD30N06S223T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 55V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 136W（Tc） P-TO252-3
  
  型号：SPD30N06S2L-13
  仓库库存编号：SPD30N06S2L-13-ND
  别名：SP000012478
  SPD30N06S2L13T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 55V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 100W（Tc） P-TO252-3
  
  型号：SPD30N06S2L-23
  仓库库存编号：SPD30N06S2L-23-ND
  别名：SP000013127
  SPD30N06S2L23T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 55V,
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  MOSFET N-CH 55V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 50A（Tc） 136W（Tc） P-TO252-3
  
  型号：SPD50N06S2L-13
  仓库库存编号：SPD50N06S2L-13-ND
  别名：SP000013568
  SPD50N06S2L13T
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 55V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI80N06S-08
  仓库库存编号：SPI80N06S-08-ND
  别名：SP000054055
  SP000084809
  SPI80N06S08
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 55V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：SPI80N06S2-07
  仓库库存编号：SPI80N06S2-07-ND
  别名：SP000013784
  SPI80N06S207
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 55V,
• 含铅
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