产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(2409)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
(113)
晶体管 - FET,MOSFET - 单
(2296)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (82)
Microchip Technology (11)
Central Semiconductor Corp (2)
Diodes Incorporated (116)
EPC (27)
GeneSiC Semiconductor (1)
Infineon Technologies (596)
IXYS (172)
Microsemi Corporation (105)
Nexperia USA Inc. (152)
NXP USA Inc. (46)
Fairchild/ON Semiconductor (357)
ON Semiconductor (127)
Panasonic Electronic Components (3)
Renesas Electronics America (27)
Rohm Semiconductor (19)
Sanken (17)
STMicroelectronics (118)
Taiwan Semiconductor Corporation (24)
Texas Instruments (19)
Toshiba Semiconductor and Storage (30)
Vishay Semiconductor Diodes Division (4)
Vishay Siliconix (354)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 76A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 76A(Tc) 188W(Tc) D2PAK
型号:
NTB6410ANT4G
仓库库存编号:
NTB6410ANT4GOSCT-ND
别名:NTB6410ANT4GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 31A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 31A(Tc) 63W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRLI2910PBF
仓库库存编号:
IRLI2910PBF-ND
别名:*IRLI2910PBF
SP001558218
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 120A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM120N10-3M8_GE3
仓库库存编号:
SQM120N10-3M8_GE3TR-ND
别名:SQM120N10-3M8_GE3TR
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 120A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM120N10-3M8_GE3
仓库库存编号:
SQM120N10-3M8_GE3CT-ND
别名:SQM120N10-3M8_GE3-ND
SQM120N10-3M8_GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 40A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 40A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF5210PBF
仓库库存编号:
IRF5210PBF-ND
别名:*IRF5210PBF
SP001559642
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 20A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Ta),124A(Tc) 3.3W(Ta),125W(Tc) DIRECTFET L8
型号:
IRF7769L1TRPBF
仓库库存编号:
IRF7769L1TRPBFCT-ND
别名:IRF7769L1TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 370W(Tc) D2PAK
型号:
IRLS4030TRLPBF
仓库库存编号:
IRLS4030TRLPBFCT-ND
别名:IRLS4030TRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 375W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS4010TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS4010TRLPBFCT-ND
别名:IRFS4010TRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 100A(Tc) 214W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP045N10N3GXKSA1
仓库库存编号:
IPP045N10N3GXKSA1-ND
别名:IPP045N10N3 G
IPP045N10N3 G-ND
IPP045N10N3G
SP000680794
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB047N10
仓库库存编号:
FDB047N10CT-ND
别名:FDB047N10CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
EPC
TRANS GAN 100V BUMPED DIE
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Ta) 模具
型号:
EPC2045ENGRT
仓库库存编号:
917-EPC2045ENGRCT-ND
别名:917-EPC2045ENGRCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 100V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 230W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP80N10T
仓库库存编号:
IXTP80N10T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
STP60NF10
仓库库存编号:
497-4384-5-ND
别名:497-4384-5
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V 200A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 200A(Ta) 300W(Tc) DDPAK/TO-263-3
型号:
CSD19535KTTT
仓库库存编号:
296-41135-1-ND
别名:296-41135-1
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
含铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Ta),80A(Tc) 310W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP3632
仓库库存编号:
FDP3632-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Texas Instruments
MOSFET N-CH 100V TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 150A(Ta) 300W(Tc) TO-220-3
型号:
CSD19535KCS
仓库库存编号:
296-37288-5-ND
别名:296-37288-5
CSD19535KCS-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 375W(Tc) PG-TO263-3
型号:
IPB020N10N5ATMA1
仓库库存编号:
IPB020N10N5ATMA1CT-ND
别名:IPB020N10N5ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 280W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP4310ZPBF
仓库库存编号:
IRFP4310ZPBF-ND
别名:SP001572864
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-7
型号:
IPB025N10N3 G
仓库库存编号:
IPB025N10N3 GCT-ND
别名:IPB025N10N3 GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 140A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Ta),140A(Tc) 2.1W(Ta),500W(Tc) TO-220
型号:
AOT290L
仓库库存编号:
785-1271-5-ND
别名:785-1271-5
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 31A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 31A(Tc) 180W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP140PBF
仓库库存编号:
IRFP140PBF-ND
别名:*IRFP140PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 19A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Ta),132A(Tc) 3.4W(Ta),165W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS6B03NT1G
仓库库存编号:
NTMFS6B03NT1GOSCT-ND
别名:NTMFS6B03NT1GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK-7
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 375W(Tc) PG-TO263-7
型号:
IPB017N10N5ATMA1
仓库库存编号:
IPB017N10N5ATMA1CT-ND
别名:IPB017N10N5ATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 120A(Tc) 370W(Tc) TO-247AC
型号:
IRFP4110PBF
仓库库存编号:
IRFP4110PBF-ND
别名:AUXUSFP4110
AUXUSFP4110-ND
SP001556724
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 100V 180A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 180A(Tc) 480W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP180N10T
仓库库存编号:
IXTP180N10T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 100V,
无铅
搜索
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号