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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 180A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 480W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA180N10T
  仓库库存编号：IXTA180N10T-ND
  别名：615943
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 100V 76A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 76A（Tc） 298W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP76P10T
  仓库库存编号：IXTP76P10T-ND
  别名：621165
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 100V 76A TO-263
  详细描述：表面贴装 P 沟道 76A（Tc） 298W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA76P10T
  仓库库存编号：IXTA76P10T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 80A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Ta），80A（Tc） 310W（Tc） TO-247
  
  型号：FDH3632
  仓库库存编号：FDH3632FS-ND
  别名：FDH3632-ND
  FDH3632FS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 180A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 180A（Tc） 375W（Tc） TO-262
  
  型号：IRFSL4010PBF
  仓库库存编号：IRFSL4010PBF-ND
  别名：SP001567760
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 195A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 195A（Tc） 520W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP4468PBF
  仓库库存编号：IRFP4468PBF-ND
  别名：SP001554960
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 100V 90A TO-268
  详细描述：表面贴装 P 沟道 90A（Tc） 462W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT90P10P
  仓库库存编号：IXTT90P10P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 100V 108A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 P 沟道 108A（Tc） 312W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXTR170P10P
  仓库库存编号：IXTR170P10P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 180A TO-264AA
  详细描述：通孔 N 沟道 180A（Tc） 560W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK180N10
  仓库库存编号：IXFK180N10-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  MOSFET N-CH 100V 190A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 190A 568W（Tc） SOT-227
  
  型号：VS-FB190SA10
  仓库库存编号：VS-FB190SA10-ND
  别名：FB190SA10
  FB190SA10-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 100V 495A SP6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 495A 1250W Chassis Mount SP6
  
  型号：APTM10AM02FG
  仓库库存编号：APTM10AM02FG-ND
  别名：APTM10AM02FGMI
  APTM10AM02FGMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 190mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS123NH6433XTMA1
  仓库库存编号：BSS123NH6433XTMA1CT-ND
  别名：BSS123NH6433XTMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 190mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS123NH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS123NH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSS123NH6327XTSA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 190mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS119NH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS119NH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSS119NH6327XTSA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 170mA（Ta） 360mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS169H6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS169H6327XTSA1CT-ND
  别名：BSS169 H6327CT
  BSS169 H6327CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 360MA SC-59-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 360mA（Ta） 500mW（Tc） PG-SC-59
  
  型号：BSR316PH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSR316PH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSR316PH6327XTSA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.6A（Ta） 1.2W（Ta） TSOT-26
  
  型号：DMN10H170SVT-7
  仓库库存编号：DMN10H170SVT-7DICT-ND
  别名：DMN10H170SVT-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 0.68A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 680mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP316PH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP316PH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP316PH6327XTSA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.2A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP296NH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP296NH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP296NH6327XTSA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V 4.2A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.2A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4486
  仓库库存编号：785-1552-1-ND
  别名：785-1552-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.6A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD8P10TM
  仓库库存编号：FQD8P10TMCT-ND
  别名：FQD8P10TMCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR3910TRPBF
  仓库库存编号：IRFR3910PBFCT-ND
  别名：*IRFR3910TRPBF
  IRFR3910PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Ta），40A（Tc） 78W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC265N10LSFGATMA1
  仓库库存编号：BSC265N10LSFGATMA1CT-ND
  别名：BSC265N10LSFGATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK 1212
  详细描述：表面贴装 N 沟道 36.5A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8S（3.3x3.3）
  
  型号：SISS40DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SISS40DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SISS40DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.2A（Ta），5.5A（Tc） 3.1W（Ta），29W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD86113LZ
  仓库库存编号：FDD86113LZFSCT-ND
  别名：FDD86113LZFSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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