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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta） 50W（Tc） DPAK+
  
  型号：TK7S10N1Z,LQ
  仓库库存编号：TK7S10N1ZLQCT-ND
  别名：TK7S10N1ZLQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 11A TP-FA
  详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Ta） 1W（Ta），35W（Tc） TP-FA
  
  型号：SFT1345-TL-H
  仓库库存编号：SFT1345-TL-HOSCT-ND
  别名：SFT1345-TL-HOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.9A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7473TRPBF
  仓库库存编号：IRF7473PBFCT-ND
  别名：*IRF7473TRPBF
  IRF7473PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.2A（Ta），19A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? SH
  
  型号：IRF6655TRPBF
  仓库库存编号：IRF6655TRPBFCT-ND
  别名：IRF6655TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 3.8W（Ta），79W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL530NSTRLPBF
  仓库库存编号：IRL530NSTRLPBFCT-ND
  别名：IRL530NSTRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB083N10N3 G
  仓库库存编号：IPB083N10N3 GCT-ND
  别名：IPB083N10N3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 58.8A（Tc） 5W（Ta），56.8W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIJ470DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIJ470DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIJ470DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 1.6W（Ta），61W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH8R80ANH,L1Q
  仓库库存编号：TPH8R80ANHL1QCT-ND
  别名：TPH8R80ANHL1QCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 125W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD082N10N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD082N10N3GATMA1CT-ND
  别名：IPD082N10N3GATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 48W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRLU120NPBF
  仓库库存编号：IRLU120NPBF-ND
  别名：*IRLU120NPBF
  SP001567330
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Tc） 92W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF540ZSTRLPBF
  仓库库存编号：IRF540ZSTRLPBFCT-ND
  别名：IRF540ZSTRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 1.8A 1.3W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
  
  型号：SI7922DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7922DN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7922DN-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 450mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVN4210A
  仓库库存编号：ZVN4210A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8
  详细描述：Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 100V 1A, 800mA 1.3W Surface Mount SM8
  
  型号：ZXMHC10A07T8TA
  仓库库存编号：ZXMHC10A07T8CT-ND
  别名：ZXMHC10A07T8CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR120PBF
  仓库库存编号：IRFR120PBF-ND
  别名：*IRFR120PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 125W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD40NF10
  仓库库存编号：497-7969-1-ND
  别名：497-7969-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 7.7A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU120PBF
  仓库库存编号：IRFU120PBF-ND
  别名：*IRFU120PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 17A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 70W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF530NPBF
  仓库库存编号：IRF530NPBF-ND
  别名：*IRF530NPBF
  SP001570120
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 7.4A POWER56-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.4A（Ta），22A（Tc） 2.5W（Ta），78W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS3672
  仓库库存编号：FDMS3672CT-ND
  别名：FDMS3672CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 3.8W（Ta），160W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF1310NSTRLPBF
  仓库库存编号：IRF1310NSTRLPBFCT-ND
  别名：IRF1310NSTRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 48W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL520NPBF
  仓库库存编号：IRL520NPBF-ND
  别名：*IRL520NPBF
  SP001558080
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 9.7A（Tc） 48W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF520NPBF
  仓库库存编号：IRF520NPBF-ND
  别名：*IRF520NPBF
  SP001571310
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 17A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 79W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL530NPBF
  仓库库存编号：IRL530NPBF-ND
  别名：*IRL530NPBF
  64-0095PBF
  64-0095PBF-ND
  SP001578734
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Tc） 3.7W（Ta），150W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：IRF540STRLPBF
  仓库库存编号：IRF540STRLPBFCT-ND
  别名：IRF540STRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 43A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 43A（Tc） 71W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP180N10N3GXKSA1
  仓库库存编号：IPP180N10N3GXKSA1-ND
  别名：IPP180N10N3 G
  IPP180N10N3 G-ND
  IPP180N10N3G
  SP000683090
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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