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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS3672
  仓库库存编号：FDS3672CT-ND
  别名：FDS3672CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 7A 8MLP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta），18A（Tc） 2.3W（Ta），41W（Tc） Power33
  
  型号：FDMC86102LZ
  仓库库存编号：FDMC86102LZCT-ND
  别名：FDMC86102LZCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS892DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS892DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS892DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V POWERPAK SO8L
  详细描述：表面贴装 N 沟道 42A（Tc） 83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ488EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ488EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ488EP-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 4.4A 8MLP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.4A（Ta），15A（Tc） 2.3W（Ta），40W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
  
  型号：FDMC86139P
  仓库库存编号：FDMC86139PCT-ND
  别名：FDMC86139PCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 13.2A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 13.2A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7113DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7113DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7113DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.7A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7456DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7456DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7456DP-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.7A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7456DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7456DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7456DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 12.4A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12.4A（Ta），60A（Tc） 2.5W（Ta），104W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS86101
  仓库库存编号：FDMS86101CT-ND
  别名：FDMS86101CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 44A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Ta），44A（Tc） 135W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD3672
  仓库库存编号：FDD3672CT-ND
  别名：FDD3672CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 92A（Tc） 800mW（Ta），142W（Tc） 8-DSOP Advance
  
  型号：TPW4R50ANH,L1Q
  仓库库存编号：TPW4R50ANHL1QCT-ND
  别名：TPW4R50ANHL1QCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 47A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 47A（Tc） 150W（Tc） DPAK
  
  型号：PSMN025-100D,118
  仓库库存编号：1727-6295-1-ND
  别名：1727-6295-1
  568-8113-1
  568-8113-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5W（Ta），62.5W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR876ADP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR876ADP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR876ADP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.6A（Ta） 2W（Ta） SOT-223
  
  型号：ZXMP10A18GTA
  仓库库存编号：ZXMP10A18GCT-ND
  别名：ZXMP10A18GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18.4A（Tc） 3W（Ta），6W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4190ADY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4190ADY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4190ADY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• EPC
  TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta） 模具剖面（5 焊条）
  
  型号：EPC2007C
  仓库库存编号：917-1081-1-ND
  别名：917-1081-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 9.2A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 9.2A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF520PBF
  仓库库存编号：IRF520PBF-ND
  别名：*IRF520PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR870ADP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR870ADP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR870ADP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7178DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7178DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7178DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR882DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR882DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR882DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.3W（Ta），125W（Tc） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD19531Q5AT
  仓库库存编号：296-37749-1-ND
  别名：296-37749-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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  库存产品核实请求
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 28A（Tc） 5.2W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7489DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7489DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7489DP-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55A（Ta） 157W（Tc） DPAK+
  
  型号：TK55S10N1,LQ
  仓库库存编号：TK55S10N1LQCT-ND
  别名：TK55S10N1LQCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 26A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 85W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP24NF10
  仓库库存编号：497-3185-5-ND
  别名：497-3185-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 4N-CH 100V 3.1A 12-MLP
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 100V 3.1A 1.9W Surface Mount 12-MLP (5x4.5)
  
  型号：FDMQ8403
  仓库库存编号：FDMQ8403CT-ND
  别名：FDMQ8403CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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