以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 75A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH75N10
  仓库库存编号：IXFH75N10-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET P-CH 100V 170A TO-264
  详细描述：通孔 P 沟道 170A（Tc） 890W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK170P10P
  仓库库存编号：IXTK170P10P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 360A（Tc） 830W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN360N10T
  仓库库存编号：IXFN360N10T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 420A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 420A（Tc） 1070W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN420N10T
  仓库库存编号：IXFN420N10T-ND
  别名：623426
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET P-CH 100V 170A SOT227
  详细描述：底座安装 P 沟道 170A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXTN170P10P
  仓库库存编号：IXTN170P10P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 200A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 200A（Tc） 1040W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK200N10L2
  仓库库存编号：IXTK200N10L2-ND
  别名：Q7017004
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 180A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN180N10
  仓库库存编号：IXFN180N10-ND
  别名：479462
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 178A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 178A（Tc） 830W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXTN200N10L2
  仓库库存编号：IXTN200N10L2-ND
  别名：624413
  Q5211084
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 230A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 230A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN230N10
  仓库库存编号：IXFN230N10-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 1245A Y3-LI
  详细描述：底座安装 N 沟道 1220A（Tc） Y3-Li
  
  型号：VMO1200-01F
  仓库库存编号：VMO1200-01F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 0.17A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 170mA（Ta） 360mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：BSS123L
  仓库库存编号：BSS123LCT-ND
  别名：BSS123LCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 170mA（Ta） 300mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：BSS123-7-F
  仓库库存编号：BSS123-FDICT-ND
  别名：BSS123-FDICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 0.17A SOT323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 170mA（Ta） 200mW（Ta） SOT-323
  
  型号：BSS123WQ-7-F
  仓库库存编号：BSS123WQ-7-FDICT-ND
  别名：BSS123WQ-7-FDICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 150MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150mA（Ta） 250mW（Ta） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：BSS123,215
  仓库库存编号：1727-4246-1-ND
  别名：1727-4246-1
  568-4873-1
  568-4873-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CHA 100V 700MA SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 700mA（Ta） 400mW（Ta） SOT-23
  
  型号：DMN10H700S-7
  仓库库存编号：DMN10H700S-7DICT-ND
  别名：DMN10H700S-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 100V 0.27A SOT23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 270mA（Ta） 380mW（Ta） SOT-23
  
  型号：DMP10H4D2S-7
  仓库库存编号：DMP10H4D2S-7DICT-ND
  别名：DMP10H4D2S-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 0.17A SOT-323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 170mA（Ta） 200mW（Ta） SOT-323
  
  型号：BSS123W
  仓库库存编号：BSS123WCT-ND
  别名：BSS123WCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 170mA（Ta） 360mW（Ta） SOT-23-3
  
  型号：BSS123TA
  仓库库存编号：BSS123CT-ND
  别名：BSS123CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 190MA SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 190mA（Ta） 830mW（Tc） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：BST82,215
  仓库库存编号：1727-4937-1-ND
  别名：1727-4937-1
  568-6229-1
  568-6229-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.6A（Ta） 1.3W（Ta） Micro3?/SOT-23
  
  型号：IRLML0100TRPBF
  仓库库存编号：IRLML0100TRPBFCT-ND
  别名：IRLML0100TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.4A（Ta） 1.3W（Ta） SOT-23
  
  型号：DMN10H220L-7
  仓库库存编号：DMN10H220L-7DICT-ND
  别名：DMN10H220L-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 3.8A TSOP-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.8A（Tc） 3.6W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3474DV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3474DV-T1-GE3CT-ND
  别名：SI3474DV-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 1A CPH3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Ta） 1W（Ta） 3-CPH
  
  型号：CPH3462-TL-W
  仓库库存编号：CPH3462-TL-WOSCT-ND
  别名：CPH3462-TL-WOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 500MA SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500mA（Ta） 360mW（Ta），830mW（Tc） TO-236AB（SOT23）
  
  型号：BSH114,215
  仓库库存编号：1727-6214-1-ND
  别名：1727-6214-1
  568-8025-1
  568-8025-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 6.3A SC75-6L
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.3A（Tc） 2.4W（Ta），13W（Tc） PowerPAK? SC-75-6L 单
  
  型号：SIB456DK-T1-GE3
  仓库库存编号：SIB456DK-T1-GE3CT-ND
  别名：SIB456DK-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
• 搜索