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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.8A（Ta），16.5A（Tc） 2.5W（Ta），31W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS8622
  仓库库存编号：FDMS8622CT-ND
  别名：FDMS8622CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET 2N-CH 100V 8.5A 56LFPAK
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 8.5A 32W Surface Mount LFPAK56D
  
  型号：BUK9K134-100EX
  仓库库存编号：1727-1898-1-ND
  别名：1727-1898-1
  568-11631-1
  568-11631-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.1A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9110TRPBF
  仓库库存编号：IRFR9110PBFCT-ND
  别名：*IRFR9110TRPBF
  IRFR9110PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta），35A（Tc） 3.1W（Ta），54W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：FDD86102LZ
  仓库库存编号：FDD86102LZFSCT-ND
  别名：FDD86102LZFSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR3410TRPBF
  仓库库存编号：IRLR3410PBFCT-ND
  别名：*IRLR3410TRPBF
  IRLR3410PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 49W（Tc） TO-252AA
  
  型号：HUF76609D3ST
  仓库库存编号：HUF76609D3STFSCT-ND
  别名：HUF76609D3STFSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 100V 11.5A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.5A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SO
  
  型号：AO4294
  仓库库存编号：785-1732-1-ND
  别名：785-1732-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.6A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9120TRPBF
  仓库库存编号：IRFR9120PBFCT-ND
  别名：*IRFR9120TRPBF
  IRFR9120PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 42A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.8A（Ta），42A（Tc） 60W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC160N10NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC160N10NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC160N10NS3 GINCT
  BSC160N10NS3 GINCT-ND
  BSC160N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600mA（Ta） 1.1W（Ta） SOT-223
  
  型号：ZVNL110GTA
  仓库库存编号：ZVNL110GCT-ND
  别名：ZVNL110G
  ZVNL110GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS3692
  仓库库存编号：FDS3692CT-ND
  别名：FDS3692CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.5A（Ta），45A（Tc） 78W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC196N10NSGATMA1
  仓库库存编号：BSC196N10NSGATMA1CT-ND
  别名：BSC196N10NS GCT
  BSC196N10NS GCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 13A（Tc） 66W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR5410TRPBF
  仓库库存编号：IRFR5410PBFCT-ND
  别名：*IRFR5410TRPBF
  IRFR5410PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 100V 0.31A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 310mA（Ta） 2W（Ta） SOT-223
  
  型号：ZVP2110GTA
  仓库库存编号：ZVP2110GCT-ND
  别名：ZVP2110G
  ZVP2110GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR120TRPBF
  仓库库存编号：IRFR120TRPBFCT-ND
  别名：IRFR120TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V TRENCH SSOT-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.7A（Ta） 1.6W（Ta） 6-SSOT
  
  型号：FDC8601
  仓库库存编号：FDC8601CT-ND
  别名：FDC8601CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT-223-4
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Ta） 2.2W（Ta） SOT-223-4
  
  型号：FDT86106LZ
  仓库库存编号：FDT86106LZCT-ND
  别名：FDT86106LZCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 59A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 59A（Tc） 94W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD122N10N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD122N10N3GATMA1CT-ND
  别名：IPD122N10N3GATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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  MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR120TRPBF
  仓库库存编号：IRLR120TRPBFCT-ND
  别名：*IRLR120TRPBF
  IRLR120PBFCT
  IRLR120PBFCT-ND
  IRLR120TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N/2P-CH 100V DFN5045-12
  详细描述：Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 100V 2.9A, 2.3A 2.1W Surface Mount V-DFN5045-12
  
  型号：DMHC10H170SFJ-13
  仓库库存编号：DMHC10H170SFJ-13DICT-ND
  别名：DMHC10H170SFJ-13DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 11A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 54W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK96180-100A,118
  仓库库存编号：1727-7191-1-ND
  别名：1727-7191-1
  568-9680-1
  568-9680-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 63A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 63A（Tc） 78W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC109N10NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC109N10NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC109N10NS3 GCT
  BSC109N10NS3 GCT-ND
  BSC109N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• EPC
  TRANS GAN 100V 2.8OHM BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500mA（Ta） 模具
  
  型号：EPC2038
  仓库库存编号：917-1138-1-ND
  别名：917-1138-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• EPC
  TRANS GAN 100V 550MOHM BUMPED DI
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Ta）
  
  型号：EPC2037
  仓库库存编号：917-1137-1-ND
  别名：917-1137-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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• EPC
  TRANS GAN 100V BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2037ENGR
  仓库库存编号：917-EPC2037ENGRCT-ND
  别名：917-EPC2037ENGRCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
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